[发明专利]CMP用研磨液及研磨方法

权利要求书

1.一种CMP研磨液，其特征在于：其至少研磨导体层以及与所述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极侧与上述导电性物质连接、负极侧与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。

2.根据权利要求1所述的CMP研磨液，其中，包括降低导体与导电性物质的所述电位差绝对值的添加剂。

3.根据权利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括选自杂环化合物中的至少1种作为降低上述电位差绝对值的添加剂，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种且包含氮和硫原子中的至少1种。

4.根据权利要求3所述的CMP研磨液，其中，所述杂环化合物在铜络合物的研磨液中的溶解度在液温25℃时为1重量％以上，其中所述铜络合物的研磨液为在向研磨液中添加硫酸铜(II)时所生成。

5.根据权利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括选自胺化合物、酰胺化合物和亚砜化合物中的至少1种作为降低所述电位差绝对值的添加剂。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的CMP研磨液，其中，包括选自杂环化合物中的至少1种和选自胺化合物、酰胺化合物以及亚砜化合物中的至少1种，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种且包含氮和硫原子中的至少1种。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的CMP研磨液，其中，所述导体包括选自钽、氮化钽、钽合金、其他的钽化合物、钛、氮化钛、钛合金、其他的钛化合物、钨、氮化钨、钨合金、其他的钨化合物、钌、其他的钌化合物中的至少1种；所述导电性物质为铜、铜合金、铜的氧化物、铜合金的氧化物、钨、钨合金、银、银合金或金。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的CMP研磨液，其中，所述导电性物质为铜。

9.一种CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有导电性物质(a)和导体(b)的被研磨面，其中导电性物质(a)以铜为主成分，导体(b)为选自钽、氮化钽、钽合金、其他的钽化合物、钛、氮化钛、钛合金、其他的钛化合物、钨、氮化钨、钨合金、其他的钨化合物、钌和其他的钌化合物中的至少1种，电位计的正极侧与导电性物质(a)连接、负极侧与导电性物质(b)连接的该研磨液中的导电性物质(a)和导体(b)在50±5℃的电位差绝对值为0.25V以下。

10.一种CMP研磨液，其特征在于：研磨具有层间绝缘膜、阻挡导体层和导电性物质层的基板，其中所述层间绝缘膜的表面包括凹部和凸部，所述阻挡导体层沿表面覆盖所述层间绝缘膜，所述导电性物质层填充所述凹部而覆盖阻挡导体层且以铜为主成分，该研磨液中包括选自杂环化合物中的至少1种，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种且包含氮和硫原子中的至少1种。

11.一种CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有导电性物质(a)和导体(b)的被研磨面，其中导电性物质(a)以铜为主成分，导体(b)为选自钽、氮化钽、钽合金、其他的钽化合物、钛、氮化钛、钛合金、其他的钛化合物、钨、氮化钨、钨合金、其他的钨化合物、钌和其他的钌化合物中的至少1种，该研磨液中包括选自杂环化合物中的至少1种，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基以及亚磺酰基中的任1种且包含氮和硫原子中的至少1种。

12.一种CMP研磨液，其特征在于：研磨具有层间绝缘膜、阻挡导体层和导电性物质层的基板，其中所述层间绝缘膜的表面包括凹部和凸部，所述阻挡导体层沿表面覆盖所述层间绝缘膜，所述导电性物质层填充所述凹部而覆盖阻挡导体层且以铜为主成分，该研磨液中包括选自胺化合物、酰胺化合物以及亚砜化合物中的至少1种。

13.一种CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有导电性物质(a)和导体(b)的被研磨面，其中导电性物质(a)以铜为主成分，导体(b)为选自钽、氮化钽、钽合金、其他的钽化合物、钛、氮化钛、钛合金、其他的钛化合物、钨、氮化钨、钨合金、其他的钨化合物、钌和其他的钌化合物中的至少1种，该研磨液中包括选自胺化合物、酰胺化合物以及亚砜化合物中的至少1种。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的CMP研磨液，其中，包括研磨粒子。