[发明专利]元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200680037806.1 申请日: 2006-10-13
公开(公告)号: CN101283443A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 久保田高史;松浦宜范 申请(专利权)人: 三井金属鉱业株式会社
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/786
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 冯雅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.元件的制造方法,它是具备在基板上形成铝合金膜,刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法,其特征在于,形成铝合金膜后,使铝合金膜表面氧化。

2.如权利要求1所述的元件的制造方法,其特征在于,由所述铝合金膜形成的配线电路具有与透明电极层和/或半导体层直接接合的部分。

3.如权利要求1或2所述的元件的制造方法,其特征在于,铝合金膜表面的氧化处理如下进行:以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度,可以确保80%以上的刻蚀速度的条件,形成氧化被膜。

4.如权利要求3所述的元件的制造方法,其特征在于,所述铝合金用刻蚀液为以容量比计磷酸∶乙二酸∶乙酸∶水=16∶1∶2∶1的组成,刻蚀时的液温为32℃。

5.如权利要求1~4中的任一项所述的元件的制造方法,其特征在于,所述铝合金膜包含镍、钴、铁、碳、硼中的至少1种以上的元素,其余部分为铝。

6.如权利要求1~5中的任一项所述的元件的制造方法,其特征在于,所述氧化处理为退火处理或采用氧气的灰化处理。

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