[发明专利]元件的制造方法无效
申请号: | 200680037806.1 | 申请日: | 2006-10-13 |
公开(公告)号: | CN101283443A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 久保田高史;松浦宜范 | 申请(专利权)人: | 三井金属鉱业株式会社 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/786 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 制造 方法 | ||
1.元件的制造方法,它是具备在基板上形成铝合金膜,刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法,其特征在于,形成铝合金膜后,使铝合金膜表面氧化。
2.如权利要求1所述的元件的制造方法,其特征在于,由所述铝合金膜形成的配线电路具有与透明电极层和/或半导体层直接接合的部分。
3.如权利要求1或2所述的元件的制造方法,其特征在于,铝合金膜表面的氧化处理如下进行:以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度,可以确保80%以上的刻蚀速度的条件,形成氧化被膜。
4.如权利要求3所述的元件的制造方法,其特征在于,所述铝合金用刻蚀液为以容量比计磷酸∶乙二酸∶乙酸∶水=16∶1∶2∶1的组成,刻蚀时的液温为32℃。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的元件的制造方法,其特征在于,所述铝合金膜包含镍、钴、铁、碳、硼中的至少1种以上的元素,其余部分为铝。
6.如权利要求1~5中的任一项所述的元件的制造方法,其特征在于,所述氧化处理为退火处理或采用氧气的灰化处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造