[发明专利]晶体管控制电路和控制方法、以及使用该电路的有源矩阵显示设备

权利要求书

1.一种晶体管控制电路，包括：

源极-栅控薄膜晶体管；

输入，用于接收代表源极-栅控晶体管的所需控制的驱动电压；

电流源，使已知电流流过源极-栅控晶体管；

第一电容器，当所述已知电流流过源极-栅控晶体管时，该第一电容器用于存储源极-栅控晶体管所产生的栅-源电压；以及

使用所产生的栅-源电压修改驱动电压、并使用修改后的电压控制源极-栅控晶体管的装置。

2.如权利要求1所述的电路，其中，该源极-栅控晶体管包括相对的源极和栅极，在源极与栅极之间夹有源势垒、栅绝缘层和半导体本体。

3.如权利要求1或2所述的电路，其中，源极-栅控晶体管是使用预定导电类型的电荷载流子而传导的，并且包括：

半导体本体层；

源极，在半导体本体层的源区上延伸，在源极与半导体本体层的源区之间限定肖特基势垒；

与半导体本体层连接的漏极；以及

栅极，当源区被耗尽时，该栅极控制预定载流子类型的载流子在势垒上从源极输送到半导体本体层的源区；

其中，在半导体本体层的与源极相对一侧上，将栅极设置成与源极成层叠关系，在栅极与半导体本体层之间具有栅绝缘层；以及

在肖特基势垒的整个栅控区域上，栅极与源极至少分隔半导体本体层与栅绝缘层的组合总厚度。

4.如权利要求1或2所述的电路，其中，所述源极-栅控晶体管是使用预定导电类型的电荷载流子传导的，并且包括：

厚度至少为10nm的半导体本体层；

源极，在半导体本体层的源区上延伸，在源极与半导体本体层的源区之间限定势垒；

与半导体本体层连接的漏极；以及

栅极，当源区被耗尽时，该栅极控制预定载流子类型的载流子在势垒上从源极输送到半导体本体层的源区；

其中，在半导体本体层的与源极相对一侧上，将栅极设置成与源极成层叠关系，在栅极与半导体本体层之间具有栅绝缘层；以及

在源势垒的整个栅控区域上，栅极与源极至少分隔半导体本体层与栅绝缘层(8)的总厚度的组合厚度。

5.如权利要求3或4所述的电路，其中，所述源极-栅控晶体管进一步包括处于源极面向漏极的横向边缘处的场释放结构。

6.如前面任一权利要求中所述的电路，进一步包括用于存储驱动电压的第二电容器。

7.如权利要求6中所述的电路，其中，第一与第二电容器串联，输入到电路的驱动电压被提供给第一与第二电容器之间的节点。

8.如权利要求6或7中所述的电路，其中，第一与第二电容器串联连接在源极-栅控晶体管的栅极与源极之间。

9.如权利要求8所述的电路，其中，在源极-栅控晶体管的源极与电流源之间设置控制晶体管。

10.如前面任一权利要求所述的电路，进一步包括保持晶体管，在将所产生的栅-源电压存储到第一电容器上期间，将预定电压提供给源极-栅控晶体管的栅极。

11.一种有源矩阵电致发光显示设备，包括：

像素阵列，每个像素包括电致发光显示元件，以及如前面任一权利要求所述的电路，其中，源极-栅控薄膜晶体管包括用于像素的电流源晶体管。

12.如权利要求11所述的设备，其中，每个像素进一步包括连接在数据线与控制电路的输入之间的寻址晶体管。

13.如权利要求11或12所述的设备，其中，所述电流源晶体管与显示元件在电源线之间串联。

14.如权利要求11，12或13所述的设备，其中，使用非晶硅形成电路。

15.一种用于有源矩阵液晶显示设备的驱动电路，包括：

输出电路阵列，每个输出电路包括数模转换器，以及如权利要求1到10其中任何一个所述的电路，其中源极-栅控薄膜晶体管包括输出驱动晶体管。

16.如权利要求15所述的驱动电路，其中，每个输出电路进一步包括连接在数模转换器与控制电路的输入之间的输入晶体管。

17.如权利要求15或16所述的驱动电路，其中，每个输出电路进一步包括连接在源极-栅控晶体管的源极与像素输出之间的输出切换晶体管。