[发明专利]纳米颗粒

权利要求书

1.一种用于生产纳米颗粒的方法，所述纳米颗粒由包括核心半导体材料的核心、提供在所述核心上的包括第一半导体材料的第一层和提供在所述第一层上的包括第二半导体材料的第二层组成，所述核心半导体材料不同于所述第一半导体材料并且所述第一半导体材料不同于所述第二半导体材料，其中所述方法包括：实现纳米颗粒核心前体组合物向所述纳米颗粒核心材料的转化，将所述第一层沉积在所述核心上和将所述第二层沉积在所述第一层上，所述核心前体组合物包括第一前体物质和单独的第二前体物质，所述第一前体物质含有要掺入到生长的纳米颗粒核心中的第一离子，所述第二前体物质含有要掺入到生长的纳米颗粒核心中的第二离子，所述转化是在容许纳米颗粒核心的引晶和生长的条件下在分子簇化合物存在下实现的，其中所述分子簇为[HNEt₃]₄[Zn₁₀S₄(SPh)₁₆]或[HNEt₃]₂[Zn₄(SPh)₁₀]。

2.根据权利要求1的方法，其中簇化合物的摩尔数相比于所述第一和第二前体物质的总摩尔数的比率在0.0001-0.1∶1的范围内。

3.根据权利要求1的方法，其中簇化合物的摩尔数相比于所述第一和第二前体物质的总摩尔数的比率在0.001-0.1∶1的范围内。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述第一前体物质对于所述第二前体物质的摩尔比在100-1∶1的范围内。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述第一前体物质对于所述第二前体物质的摩尔比在50-1∶1的范围内。

6.根据权利要求1的方法，其中将所述分子簇化合物和核心前体组合物在第一温度分散在适合的分散介质中，并且然后将含有所述簇化合物和核心前体组合物的分散介质的温度升高到足以引发所述纳米颗粒核心在所述化合物的分子簇上引晶和生长的第二温度。

7.根据权利要求6的方法，其中所述第一温度在50℃至100℃的范围内。

8.根据权利要求6的方法，其中所述第一温度在70℃至80℃的范围内。

9.根据权利要求6的方法，其中所述第一温度为75℃。

10.根据权利要求6的方法，其中所述第二温度在120℃至280℃的范围内。

11.根据权利要求6的方法，其中所述第二温度在150℃至250℃的范围内。

12.根据权利要求6的方法，其中所述第二温度为200℃。

13.根据权利要求1的方法，其中所述方法包括：

a.在第一温度在适合的分散介质中分散所述分子簇化合物和初始部分的所述纳米颗粒核心前体组合物，所述初始部分的纳米颗粒核心前体组合物小于要用于产生所述纳米颗粒核心的核心前体组合物的总量；

b.将含有所述簇化合物和核心前体组合物的分散介质的温度升高至足以在所述分子簇化合物的分子簇上引发所述纳米颗粒核心的引晶和生长的第二温度；和

c.将另外的一个或多个部分的所述核心前体组合物添加到含有所述生长的纳米颗粒核心的分散介质中，

其中在添加所述另外的一个或多个部分的纳米颗粒核心前体组合物以前、期间和/或以后，升高含有所述生长的纳米颗粒核心的分散介质的温度。

14.根据权利要求13的方法，其中含有所述生长的纳米颗粒核心的分散介质的温度以0.05℃/min至1℃/min范围内的速率升高。

15.根据权利要求13的方法，其中含有所述生长的纳米颗粒核心的分散介质的温度以0.2℃/min的速率升高。

16.根据权利要求13的方法，其中所述第一温度在15℃至60℃的范围内。

17.根据权利要求13的方法，其中所述第二温度在90℃至150℃的范围内。

18.根据权利要求13的方法，其中将所述另外的一个或多个部分的纳米颗粒核心前体组合物逐滴添加至含有生长的纳米颗粒核心的分散介质中。