[发明专利]在193纳米辐射波长具有低折射率的顶部抗反射涂料组合物

权利要求书

1.适合用作193纳米光刻法所用的顶部抗反射涂层的组合物，所述组合物包含具有芳族残基、且对193纳米辐射波长的折射率值n小于1.5的可溶于碱性水溶液的聚合物。

2.权利要求1的组合物，其中所述芳族残基选自由取代的或未取代的芳族残基或其组合组成的组。

3.权利要求2的组合物，其中所述芳族残基独立地选自由取代或未取代形式的稠合芳族残基、杂环芳族残基及其组合组成的组。

4.权利要求3的组合物，其中所述芳族残基选自由萘、噻吩及其组合组成的组。

5.权利要求1的组合物，其中所述聚合物进一步包含促进该组合物在碱性水溶液中的可溶性的残基。

6.权利要求5的组合物，其中所述促进可溶性的残基选自由羟基、磺酰胺基、N-羟基二羧基酰亚胺基、其它二羧基酰亚胺基、其它氨基和其它酰亚胺基组成的组。

7.权利要求1的组合物，其中所述聚合物进一步包含含氟残基。

8.权利要求1的组合物，其中所述组合物进一步包含含硫的酸性残基。

9.权利要求1的组合物，其中所述聚合物具有烯式骨架。

10.权利要求9的组合物，其中所述聚合物包含选自由乙烯基、丙烯酸酯/盐和甲基丙烯酸酯/盐及其组合组成的组的单体单元。

11.权利要求9的组合物，其中所述芳族残基侧接在所述烯式骨架上。

12.权利要求1的组合物，其中所述折射率n为1.4或更小。

13.权利要求1的组合物，其中所述组合物对193纳米的辐射波长具有0.05至0.25的消光系数k。

14.权利要求7的组合物，其中所述聚合物包括至少一个具有选自由下式所示结构组成的组的结构的单体单元：

15.权利要求8的组合物，其中所述聚合物包括至少一个具有选自由下式所示结构组成的组的结构的单体单元：

16.权利要求1的组合物，其中所述聚合物含有下列单体单元：

17.权利要求16的组合物，其中所述聚合物基本由下列单体单元构成：

其中x为35-65，y为20-65，且z为5-30。

18.权利要求1的组合物，其中所述聚合物含有下列单体单元：

19.权利要求18的组合物，其中所述聚合物基本由下列单体单元构成：

其中x为25-60，y为30-70，且z为5-25。

20.权利要求1的组合物，其中所述聚合物具有1500-50000的重均分子量。

21.在基底上形成图案状材料形状的方法，所述方法包括：

(a)在基底上提供材料表面，

(b)在所述材料表面上形成辐射敏感性抗蚀层，

(c)在所述抗蚀层上形成顶部抗反射涂层，所述抗反射涂层包含具有芳族残基、且对193纳米辐射波长的折射率值n小于1.5的可溶于碱性水溶液的聚合物，

(d)使所述抗蚀层成图案地暴露在辐射下，由此在所述抗蚀层中产生辐射曝光区域的图案，

(e)选择性地去除部分所述抗蚀层和抗反射涂层，以暴露出部分所述材料表面，和

(f)将所述材料的所述曝光部分蚀刻或离子注入，由此形成所述图案状材料形状。

22.权利要求21的方法，其中所述辐射是波长为大约193纳米的紫外线辐射。

23.权利要求21的方法，其中所述材料层选自由电介质、金属和半导体组成的组。

24.权利要求21的方法，其中所述芳族残基独立地选自由取代或未取代形式的稠合芳族残基、杂环芳族残基及其组合组成的组。

25.权利要求21的方法，其中所述聚合物进一步包含促进组合物在碱性水溶液中的可溶性的残基。