[发明专利]在半导体喷墨印刷期间作为掩模的场屏蔽电介质

权利要求书

1.一种制造显示器件的方法，包括以下步骤：

构图场屏蔽电介质层，以暴露导体并在导体上形成空腔；

喷墨印刷半导体材料以填充一部分空腔来覆盖导体以形成用于寻址像素的晶体管，而不用利用光刻步骤构图半导体材料；

在空腔中的半导体材料上沉积绝缘材料；和

在绝缘材料和场屏蔽电介质层上形成像素垫。

2.如权利要求1所述的方法，其中导体包括数据线，并且构图的步骤包括暴露数据线。

3.如权利要求1所述的方法，其中在栅电极上形成空腔。

4.如权利要求1所述的方法，其中在半导体材料上沉积绝缘材料的步骤包括喷墨印刷绝缘层。

5.如权利要求1所述的方法，其中导体形成用于接通和断开像素的薄膜晶体管的源极和漏极。

6.如权利要求5所述的方法，其中导体包括在栅电极上形成并且通过电介质层与栅电极分离的部分。

7.如权利要求1所述的方法，其中构图场屏蔽电介质层以暴露导体并在导体上形成空腔的步骤包括形成用于垂直互连的空腔。

8.如权利要求7所述的方法，其中在绝缘材料和场屏蔽电介质层上形成像素垫的步骤包括利用用于形成像素垫的相同导电材料形成垂直互连。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成像素垫的步骤包括通过物理汽相沉积来沉积导电材料。

10.一种制造显示器件的方法，包括以下步骤：

形成栅电极；

在栅电极上沉积第一绝缘层；

沉积第一导电层和构图第一导电层，以在栅电极上的第一绝缘层上形成数据线；

沉积场屏蔽电介质层和构图场屏蔽电介质层，以暴露数据线和在栅电极上形成空腔；

喷墨印刷半导体材料，以填充一部分空腔和包围数据线，而不用利用光刻步骤来构图半导体材料；

在半导体材料上沉积第二绝缘材料；和

在第二绝缘材料和场屏蔽电介质层上形成第二导电层。

11.如权利要求10所述的方法，其中在半导体材料上沉积第二绝缘材料的步骤包括喷墨印刷第二绝缘层。

12.如权利要求10所述的方法，其中数据线形成用于接通和断开像素的薄膜晶体管的源极。

13.如权利要求10所述的方法，其中构图场屏蔽电介质的步骤包括形成用于垂直互连的空腔。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成第二导电层的步骤包括利用第二导电层形成垂直互连。

15.如权利要求10所述的方法，其中形成第二导电层的步骤包括通过物理汽相沉积来沉积第二导电层。

16.如权利要求10所述的方法，其中形成第二导电层的步骤包括形成像素垫/场屏蔽，其在利用半导体材料形成的薄膜晶体管的至少一部分上延伸。

17.一种显示器件，包括：

薄膜场效应晶体管，其选择性地耦合信号以寻址像素，该薄膜晶体管包括喷墨印刷的半导体层，其覆盖源极和漏极导体，并且半导体层在场屏蔽绝缘体层中形成的空腔中形成；和

形成场屏蔽的像素垫，该像素垫在绝缘层上形成并且通过绝缘层连接到晶体管，使得场屏蔽在晶体管的至少一部分上延伸。

18.如权利要求17所述的显示器件，还包括喷墨印刷的绝缘层，其沉积在半导体层上以将半导体层与像素垫分离。

19.如权利要求18所述的显示器件，其中喷墨印刷的绝缘层和半导体层被印刷在相同的空腔中。

20.如权利要求17所述的显示器件，其中薄膜晶体管包括栅电极，并且在薄膜晶体管上设置场屏蔽以形成第二栅电极。

21.如权利要求17所述的显示器件，还包括由相同材料形成的作为像素垫的垂直互连。

22.如权利要求17所述的显示器件，其中该显示器件是柔性的。