[发明专利]使用抗反射膜以降低光串扰的固态成像器和形成方法

权利要求书

1.一种装置，其包含：

像素阵列，其含有多个像素，每个像素具有像素电路；

传导线，其用于与所述像素电路进行电连接；

抗反射膜，其提供在所述传导线的垂直侧面上；和

绝缘层，其提供在所述抗反射膜的与所述传导线相对的侧面上，

其中所述传导线，所述抗反射膜和所述绝缘层一起作用以降低光子反射。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘层包含SiO₂。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜是耐热金属或耐热金属的合金。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述耐热金属是钽和钛中的一者。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线包含反射金属。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述反射金属包括铝。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述像素电路是CMOS像素电路。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线在至少两个相对侧面上具备所述抗反射膜。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述传导线在所述两个相对侧面上且在顶部与底部的至少一者上具备所述抗反射膜。

10.根据权利要求8所述的装置，其中只有所述传导线的两个相对侧面具备所述抗反射膜。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜具有亚微米厚度。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述厚度小于或为约20nm。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述厚度小于或为约10nm。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述抗反射膜降低所述传导线的所述部分的总反射率。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述抗反射膜将总反射率降低到低于约0.5的值。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述抗反射膜将总反射率降低到低于约0.4的值。

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述传导线包含铝。

18.根据权利要求1所述的装置，其中每个像素电路包含至少M1、M2和M3金属化层，且所述传导线设置在所述M1、M2和M3金属化层的至少一选定层中。

19.一种CMOS成像器，其包含：

衬底；和

成像器像素阵列，其以行与列排列在所述衬底上，每个成像器像素包含：

电路元件，其包括经排列和配置以接收传入光的光传感器；

传导线，其电连接所述电路元件；

抗反射膜，其提供在所述传导线的垂直侧面上；和

绝缘层，其提供在所述抗反射膜的与所述传导线相对的侧面上，

其中所述传导线，所述抗反射膜和所述绝缘层一起作用以降低光子反射。

20.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述绝缘层包含SiO₂。

21.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜是耐热金属或耐热金属的合金。

22.根据权利要求21所述的CMOS成像器，其中所述耐热金属是钽和钛中的一者。

23.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述传导线包含反射金属。

24.根据权利要求23所述的CMOS成像器，其中所述反射金属包括铝。

25.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述传导线在至少两个相对侧面上具备所述抗反射膜。

26.根据权利要求25所述的CMOS成像器，其中只有所述传导线的两个相对侧面具备所述抗反射膜。

27.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜具有亚微米厚度。

28.根据权利要求27所述的CMOS成像器，其中所述厚度小于或为约10nm。