[发明专利]微电子成像单元和以晶片级制造微电子成像单元的方法

权利要求书

1.一种制造多个微电子成像单元的方法，所述方法包含：

提供具有多个成像电路小片的成像器工件，所述成像电路小片包括集成电路、电耦合到所述集成电路的外部接点和可操作地耦合到所述集成电路的图像传感器，所述各个图像传感器包括位于所述图像传感器的周边部分处的至少一个暗电流像素；

在所述工件上并在所述图像传感器上方沉积覆盖层；和

对所述覆盖层进行图案化和选择性显影，以在相应图像传感器上方形成若干离散体积的覆盖层材料，所述离散体积具有与所述各个暗电流像素的内侧边缘对准的侧壁，使得所述暗电流像素不被所述离散体积覆盖。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述离散体积的覆盖层材料之间并在所述暗电流像素上方向所述工件上沉积不透明材料；和

从所述工件移除所述离散体积的覆盖层材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含在从所述工件移除所述覆盖层材料之前，对所述不透明材料和/或所述覆盖层材料的顶部表面进行平坦化。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述工件上沉积不透明材料包含沉积环氧树脂材料。

5.根据权利要求2所述的方法，其中提供多个具有图像传感器的成像电路小片包含提供具有(a)呈所需图案的有效像素阵列，和(b)围绕所述图像传感器的所述周边部分的多个暗电流像素的图像传感器，且其中所述暗电流像素的所述内侧边缘邻近于至少一个有效像素，且其中所述方法进一步包含：

在所述工件上并在相应图像传感器上方构建彩色滤光片阵列(CFA)；和

在向所述工件上沉积所述不透明材料之后且在从所述工件移除所述覆盖层之前，对所述不透明材料和所述覆盖层的顶部表面进行平坦化。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含在向所述工件上沉积所述覆盖层之前，在所述图像传感器上的所述CFA上方形成微透镜。

7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含在向所述工件上沉积所述覆盖层之前，在所述微透镜上方沉积氧化物涂层。

8.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含在沉积所述覆盖层之后且在向所述工件上沉积所述不透明材料之前，剥除所述CFA的在所述图像传感器的周边部分处的剩余蓝色部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中提供多个具有图像传感器的成像电路小片包含形成具有(a)呈所需图案的有效像素阵列，和(b)围绕所述图像传感器的所述周边部分的多个暗电流像素的图像传感器，且其中所述暗电流像素的所述内侧边缘邻近于至少一个有效像素。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含：

在所述工件上并在相应图像传感器上方构建CFA；

在所述图像传感器上的所述CFA上方形成微透镜；和

在向所述工件上沉积所述覆盖层之前，在所述微透镜上方沉积氧化物涂层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述离散体积的覆盖层材料包含位于所述图像传感器上方的覆盖层材料块。

12.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述外部接点包含构建导电互连件，所述导电互连件与相应端子接触且延伸穿过所述各个电路小片的至少一部分。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述工件上沉积覆盖层包含在所述工件上并在所述图像传感器上方沉积抗蚀剂层。