[发明专利]使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成

权利要求书

1.一种注入含硼离子的方法，其包含：

在真空室中在电离条件下电离至少一个气态的含硼化合物，以产生含硼离子；和 通过电场加速所述含硼离子，以将含硼离子注入衬底中，

其中所述至少一个含硼化合物包含至少一个选自由下述物质组成的群组的化合 物：B₂F₄、BF₃、B(BF₂)₃CO、BF₂CH₃、BF₂CF₃、BF₂Cl、BFCl₂、BF(CH₃)₂、NOBF₄、 NH₄BF₄、H₂BF₇、H₂B₂F₆、H₄B₄F₁₀、H₂BFO₂、H₂B₂F₂O₃、H₂B₂F₂O₆、H₂B₂F₄O₂、 H₃BF₂O₂、H₄BF₃O₂、H₄BF₃O₃、B₈F₁₂、B₁₀F₁₂、(F₂B)₃BCO、CB₅H₉、C₂B₄H₈、C₃B₃H₇、 C₄B₂H₆、和C₂B₃H₇；开笼型碳硼烷、C₂B₃H₇、CB₅H₉、C₂B₄H₈、C₃B₃H₇、C₄B₂H₆、 C₂B₇H₁₃；和封闭型碳硼烷、C₂B₃H₅、C₂B₄H₆、C₂B₅H₇、CB₅H₇、C₂B₆H₈、C₂B₇H₉、 C₂B₈H₁₀、C₂B₉H₁₁和C₂B₁₀H₁₂，且

其中所述至少一个含硼化合物不包含二硼烷，且

其中当所述至少一个含硼化合物包含BF₃时，所述至少一个含硼化合物进一步包 含选自由下述物质组成的含硼化合物：B₂F₄、B(BF₂)₃CO、BF₂CH₃、BF₂CF₃、BF₂C₁、 BFCl₂、BF(CH₃)₂、NOBF₄、NH₄BF₄、H₂BF₇、H₂B₂F₆、H₄B₄F₁₀、H₂BFO₂、H₂B₂F₂O₃、 H₂B₂F₂O₆、H₂B₂F₄O₂、H₃BF₂O₂、H₄BF₃O₂、H₄BF₃O₃、B₈F₁₂、B₁₀F₁₂和(F₂B)₃BCO。