[发明专利]多向共用像素上的高动态范围/抗溢出共同栅极

权利要求书

1.一种像素阵列，其包含：

第一光传感器，其用于响应于所施加的光而产生电荷；

第二光传感器，其用于响应于所施加的光而产生电荷；以及

第一和第二高动态范围/抗溢出晶体管，其分别耦合到所述第一光传感器和所述 第二光传感器以用于将所述产生的电荷从所述光传感器排出到共同漏极区域，所述 晶体管具有共同高动态范围/抗溢出栅极。

2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一光传感器和所述第二光传感器在所 述阵列的第一行中。

3.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一光传感器和所述第二光传感器共用 一共同读出电路，所述共同读出电路用于读出表示从所述第一光传感器和所述第二 光传感器转移的电荷量的信号。

4.根据权利要求3所述的像素阵列，其中所述读出电路包含位于第一有源区域中用于 从所述光传感器转移所述电荷的至少第一和第二晶体管，和位于第二有源区域中用 于在第二有源区域中产生所述信号的至少一第三晶体管。

5.根据权利要求4所述的像素阵列，其中所述第一有源区域和所述第二有源区域彼此 在物理上隔离但彼此电连接。

6.根据权利要求4所述的像素阵列，其中所述至少第一和第二晶体管包含用于将所述 电荷转移到中间存储节点的存储晶体管。

7.根据权利要求6所述的像素阵列，其进一步包含用于将所述电荷从所述中间存储节 点转移到共同浮动扩散区域的第一和第二晶体管。

8.根据权利要求4所述的像素阵列，其中所述至少一第一和第二晶体管包含转移栅 极。

9.根据权利要求1所述的像素阵列，其进一步包含：

第三和第四光传感器，其用于响应于所施加的光而产生各自的电荷；以及

第三和第四高动态范围/抗溢出晶体管，其分别耦合到所述第三光传感器和第四 光传感器以用于将所述产生的电荷从所述第三光传感器和第四光传感器排出到所 述共同漏极区域，所述第三高动态范围/抗溢出晶体管和第四高动态范围/抗溢出晶 体管包括所述共同高动态范围/抗溢出栅极。

10.根据权利要求9所述的像素阵列，其中所述四个光传感器中的至少两者共用用于将 所述产生的电荷转移到浮动扩散区域的共同转移晶体管栅极。

11.根据权利要求10所述的像素阵列，其中所述共同转移晶体管栅极位于所述至少两 个光传感器的与所述共同高动态范围/抗溢出栅极相对的一侧处。

12.根据权利要求9所述的像素阵列，其中所述第一光传感器和所述第二光传感器是所 述阵列的第一行中的行邻近光传感器。

13.根据权利要求12所述的像素阵列，其中所述第三光传感器和所述第四光传感器是 所述阵列的第二行中的行邻近光传感器。

14.根据权利要求9所述的像素阵列，其中所述第一光传感器、第二光传感器、第三光 传感器和第四光传感器与各自的第一读出电路、第二读出电路、第三读出电路和第 四读出电路相关联。

15.一种包含以多个行和列布置的多个像素单元的像素阵列，其中第一行包含：

像素对，其包含两个像素单元，每一所述像素单元包含一光传感器，所述两个像 素单元共用共同像素组件，所述共同像素组件包括：

存储节点，其用于存储由所述光传感器产生的电荷；

复位晶体管，其用于复位所述存储节点处的所述电荷；

至少一晶体管，其用于从所述存储节点读出一值；以及

高动态范围/抗溢出栅极，其电连接到第一侧上的所述光传感器以用于将电荷从 所述光传感器排出到所述高动态范围/抗溢出栅极的第二侧上的漏极区域。

16.根据权利要求15所述的像素阵列，其进一步包含用于将电荷从所述光传感器转移 到第一和第二中间存储节点的第一和第二存储栅极。