[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680038980.8 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101292328A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 尺田幸男;园部雅之;伊藤范和 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体元件，其为在基板上叠层氮化物半导体层而形成的氮化物半导体元件，其特征在于：
所述基板由氧化锌类化合物构成，与该基板相接设置有由AlyGa1-yN构成的第一氮化物半导体层，在该第一氮化物半导体层上叠层有氮化物半导体层，以形成半导体元件，其中，0.05≤y≤0.2。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于：
所述第一氮化物半导体层的膜厚为以上。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体元件，其特征在于：
所述第一氮化物半导体层的膜厚为2000～
4.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于：
所述基板的主面为(0001)Zn极性面。
5.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于：
使所述第一氮化物半导体层的表面组成发生变化，使得该组成成为接近叠层于该第一氮化物半导体层上的氮化物半导体层的组成而形成。
6.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于：
在所述第一氮化物半导体层上，叠层有n型层、活性层和p型层，使得形成发光层，从而形成半导体发光元件。
7.一种氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于：
在MOCVD装置内设置由氧化锌类化合物构成的基板，在比GaN结晶层的生长温度低的600～800℃的低温且VA族原料相对于IIIA族原料的摩尔比(VA族/IIIA族)为500以上、2000以下的条件下，使由AlyGa1-yN构成的第一氮化物半导体层生长，接着使所希望的氮化物半导体层生长，从而形成氮化物半导体元件，其中，0.05≤y≤0.2。
8.如权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于：
在使所述第一氮化物半导体层生长时，首先开始供给IIIA族原料，之后供给VA族原料，从而使所述第一氮化物半导体层生长。
9.如权利要求8所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于：
通过供给所述IIIA族原料，在所述基板的露出面形成IIIA族元素的保护膜，之后供给VA族原料。
10.如权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于：
在所述基板的生长面以外的露出面上，形成在600℃以上的高温下不蒸发的保护膜，之后使所述第一氮化物半导体层生长。
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