[发明专利]晶体管的制造

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，每一个晶体管包括在共用衬底上的多个外延层，该方法包括：

在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；

在第一表面上形成至少一个漏极接点；

在第一表面上形成至少一个栅极接点；

在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘材料层，以绝缘栅极接点、源极接点和漏极接点；

在至少一个绝缘层的至少一部分上并穿过其形成导电层，用于连接源极接点；

在导电层上形成至少一个籽晶层；以及

电镀至少一个籽晶层，以形成至少一个热沉层。

2.如权利要求1所述的方法，其中晶体管是高电子迁移率晶体管，多个外延层包括氮化镓层、氮化铝镓层、n+氮化铝镓层和最终氮化镓层，第一表面在该最终氮化镓层之上；至少一个绝缘材料层是电绝缘的但是热传导的；导电层通过在至少一个绝缘层中的过孔连接多个源极接点。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，至少一个热沉层是形成于籽晶层层之上的由传导金属构成的相对厚的层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，籽晶层包括多个籽晶层，其中多个籽晶层中的第一籽晶层施加到导电层，该第一籽晶层为具有第一热膨胀系数的材料；且第二籽晶层形成于第一籽晶层之上，该第二籽晶层为具有第二热膨胀系数的材料，该第二热膨胀系数大于该第一热膨胀系数。

5.如权利要求4所述的方法，其中第一籽晶层和第二籽晶层中的一个是扩散阻挡层，用于提供施加至其的层的扩散阻挡以防止扩散进外延层。

6.如权利要求3所述的方法，其中，该相对厚的层用作由支撑结构、热沉、散热器构成的组中选择的至少一种，并用作连接器。

7.如权利要求1所述的方法，其中，通过生成并接着填充穿过共用衬底和多个外延层直至导电层的至少一个过孔来形成源极连接。

8.如权利要求1所述的方法，其中，通过生成并接着填充穿过共用衬底和多个外延层直至至少一个漏极接点的至少一个过孔来形成漏极连接。

9.如权利要求1所述的方法，其中，通过生成并接着填充穿过共用衬底和多个外延层直至至少一个栅极接点的至少一个过孔来形成栅极连接。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括在形成至少一个热沉层之后移除衬底；以及形成由电绝缘且热传导材料构成的另一层来替代衬底。

11.如权利要求10所述的方法，其中，通过形成并接着填充穿过多个外延层直至导电层的至少一个过孔来形成源极连接。

12.如权利要求10所述的方法，其中，通过生成并接着填充穿过多个外延层直至至少一个漏极接点的至少一个过孔来形成漏极连接。

13.如权利要求10所述的方法，其中，通过生成并接着填充穿过多个外延层直至至少一个栅极接点的至少一个过孔来形成栅极连接。

14.如权利要求1所述的方法，其中实施图案化电镀，以形成至少一个热沉层。

15.一种包括晶体管的装置，每一个晶体管包括：

(a)具有第一表面的多个外延层；

(b)多个源极接点、至少一个漏极接点和至少一个栅极接点，它们都在第一表面上；

(c)在源极接点、至少一个漏极接点和至少一个栅极接点之上和之间的至少一个绝缘层，以绝缘栅极接点、源极接点和漏极接点；

(d)在至少一个绝缘层的至少一部分上并穿过其的导电层，用于连接源极接点；以及

(f)电镀在导电层上的籽晶层上的至少一个热沉层。

16.如权利要求15所述的装置，其中，至少一个热沉层位于籽晶层以及至少一个绝缘层的没有覆盖导电层的位置上。

17.如权利要求16所述的装置，其中，该至少一个绝缘层是电绝缘和热传导的。

18.如权利要求15至17任一项所述的装置，其中，多个外延层包括氮化镓层、氮化铝镓层、n+氮化铝镓层和最终氮化镓层，第一表面在该最终氮化镓层之上。

19.如权利要求15所述的装置，其中，导电层通过在至少一个绝缘层中的过孔连接多个源极接点。