[发明专利]具有均匀磁场分布的自适应耦合等离子体源和具有该等离子体源的等离子体室无效
申请号: | 200680039192.0 | 申请日: | 2006-10-20 |
公开(公告)号: | CN101292332A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 金南宪 | 申请(专利权)人: | 自适应等离子体技术公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李春晖;杨红梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 均匀 磁场 分布 自适应 耦合 等离子体 | ||
1.一种自适应耦合等离子体源,包括:
平板形衬套,在反应室的中心区域设置于反应室上方;
多个上部线圈,从该衬套伸出以设置于该反应室的上方,以便螺旋状地围绕所述衬套;以及
多个侧部线圈,设置在所述反应室的侧壁部分的周围,以围绕在所述反应室的外周。
2.根据权利要求1所述的自适应耦合等离子体源,其中,所述多个侧部线圈被设置为彼此在垂直方向上间隔开预定的距离。
3.根据权利要求1所述的自适应耦合等离子体源,其中,所述侧部线圈由银、铜、铝、金或铂制成。
4.一种等离子体室,包括:
室外壳,限定在其中产生等离子体的反应空间;
平板形晶片支撑,设置于所述反应空间的下部区域中,适于在其上支撑晶片;
连接于所述平板形晶片支撑的下射频电源;
自适应耦合等离子体源,包括:在所述室外壳的中心区域设置于所述室外壳上方的平板形衬套;多个上部线圈,从所述衬套伸出以设置于所述室外壳的上方,以便螺旋状地围绕所述衬套;以及多个侧部线圈,在所述室外壳的侧壁部分的周围设置以围绕所述室外壳;以及
连接于所述衬套的上射频电源。
5.根据权利要求4所述的等离子体室,其中,所述多个侧部线圈被设置为彼此在垂直方向上间隔开预定的距离。
6.根据权利要求4所述的等离子体室,其中,所述侧部线圈由银、铜、铝、金或铂制成。
7.根据权利要求4所述的等离子体室,其中,所述侧部线圈被连接到所述上射频电源。
8.根据权利要求4所述的等离子体室,进一步包括连接到所述侧部线圈的单独的电源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造