[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，包括：

基底；

在所述基底上的外延生长层结构；

长度为l_c的激光器谐振腔，所述激光器谐振腔在所述外延生长层内形成，所述 激光器谐振腔具有至少一个垂直于所述基底平面的刻蚀腔面表面；

长度为l_s的薄片，所述薄片通过分离所述基底形成且结合所述激光器谐振腔， l_s大于所述激光器谐振腔长度l_c；

所述薄片的从所述激光器谐振腔光束轴的中心到所述薄片的刻蚀顶部表面的 距离为h，从所述薄片的边缘到所述刻蚀腔面的距离为a；

所述激光器谐振腔能够产生具有半高宽垂直远场角的激光器输出光束；并且 其中，比例h/a等于或大于

tan(2ln2×θ2)]]>

，其中θ表示远场角。

2.一种半导体激光器装置，包括：

基底；

在所述基底上的外延生长层结构；

激光器谐振腔，所述激光器谐振腔具有在所述外延生长层结构内通过刻蚀制造 的腔面，所述腔面具有垂直于所述基底平面的表面；

在所述刻蚀腔前面的辅助台面结构，所述辅助台面结构的顶部离通过所述激光 器腔面的激光束轴线中心的距离为h；

薄片，所述薄片通过装置分离所述基底形成且结合所述激光器谐振腔，所述薄 片中从所述辅助台面结构的边缘到薄片边缘的距离为a_s，所述辅助台面结构的边缘 到所述刻蚀制造的腔面的距离为a；

所述辅助台面结构高度为h_s；

所述激光器谐振腔可操作来产生具有半高宽垂直远场角的从所述刻蚀腔面 发射的输出光束；并且

其中，比例h/a等于或大于

tan(2ln2×θ2)]]>

并且

比例(h+h_s)/(a+a_s)大于或等于

tan(2ln2×θ2)]]>

，其中θ表示远场角。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括通过刻蚀基本垂直于所述基 底平面的表面形成的第二激光器腔面。

4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括通过刻蚀基本垂直于所述基 底平面的表面形成的第二激光器腔面。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基底包含GaN。

6.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述基底包含GaN。