[发明专利]平面磁元件及利用该平面磁元件的电源IC封装有效

专利信息
申请号: 200680039687.3 申请日: 2006-10-26
公开(公告)号: CN101297382A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 中川胜利;井上哲夫;佐藤光 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: H01F27/255 分类号: H01F27/255;H01F17/04;H01F1/20;H01F41/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 平面 元件 利用 电源 ic 封装
【权利要求书】:

1.一种平面磁元件,在由磁性粉末和树脂的混合物构成的第一磁性层和第二磁性层之间具有平面线圈,其特征在于,

在设上述平面线圈的线圈布线之间的间隔为W、而且设上述磁性粉末的最大粒径为L时,满足关系式W>L;

在上述线圈布线之间的间隔W中,填充了上述磁性粉末和树脂的混合物,包含在长度W的线段中的磁性粉末的个数为3个以上;

上述平面磁元件的厚度为0.4mm以下;

在上述第一、第二磁性层与平面线圈(4)之间没有形成绝缘层。

2.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,包含在上述磁性层中的磁性粉末和上述平面线圈相邻且距离1μm以下。

3.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,上述平面线圈的线圈布线之间的间隔W和上述磁性粉末的最大粒径L满足关系式W>2L。

4.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,包含在上述长度W的线段中的磁性粉末的个数为5个以上。

5.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,上述磁性粉末由非晶合金、平均结晶粒径为2μm以下的Fe基微细结晶合金、纯铁、铁硅铝磁合金、Fe-Ni系合金、Fe-Si系合金、铁氧体中的至少1种构成。

6.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,上述磁性粉末的平均粒径为80μm以下。

7.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,上述平面线圈由金属粉末的烧结体构成。

8.如权利要求1所记载的平面磁元件,其特征在于,上述平面线圈为刻蚀金属箔形成。

9.一种电源IC封装,其特征在于,是使用了平面磁元件的电源IC封装,该平面磁元件在由磁性粉末和树脂的混合物构成的第一磁性层和第二磁性层之间具有平面线圈,在设上述平面线圈的线圈布线之间的间隔为W、而且设上述磁性粉末的最大粒径为L时,满足关系式W>L;

在上述线圈布线之间的间隔W中,填充了上述磁性粉末和树脂的混合物,包含在长度W的线段中的磁性粉末的个数为3个以上;

上述平面磁元件的厚度为0.4mm以下;

在上述第一、第二磁性层与平面线圈(4)之间没有形成绝缘层。

10.如权利要求9所记载的电源IC封装,其特征在于,该电源IC封装是IC一体型。

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