[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)准备沿着厚度方向具有互为相反一侧的主面和背面的半导体晶片的步骤；

(b)在上述半导体晶片的主面形成元件的步骤；

(c)在上述半导体晶片的主面上形成布线层的步骤；

(d)使上述半导体晶片薄型化的步骤；

(e)通过沿着上述半导体晶片的芯片分离区域对准聚光点向上述半导体晶片的内部照射激光来形成在以后的半导体晶片切断步骤中作为上述半导体晶片的分割起点的改质区域的步骤；以及

(f)通过折弯上述半导体晶片而将上述改质区域作为起点来切断上述半导体晶片而将其分割成半导体芯片的步骤，其中，

在上述(e)步骤中，向上述芯片分离区域的检查用焊盘的旁边照射上述激光。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

使上述检查用焊盘靠近上述芯片分离区域的一侧配置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述布线层具有低介电常数膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还包括在布线衬底上安装上述半导体芯片的步骤，其中，

上述半导体芯片在其外周具有配置了上述检查用焊盘的区域。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

还包括在上述布线衬底上层叠多个上述半导体芯片的步骤。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述半导体芯片的主面的布线层具有低介电常数膜。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)准备沿着厚度方向具有互为相反一侧的主面和背面的半导体晶片的步骤；

(b)在上述半导体晶片的主面形成元件的步骤；

(c)在上述半导体晶片的主面上形成布线层的步骤；

(d)使上述半导体晶片薄型化的步骤；

(e)通过沿着上述半导体晶片的芯片分离区域对准聚光点向上述半导体晶片的内部照射激光来形成在以后的半导体晶片切断步骤中作为上述半导体晶片的分割起点的改质区域的步骤；以及

(f)通过折弯上述半导体晶片而将上述改质区域作为起点来切断上述半导体晶片而将其分割成半导体芯片的步骤，

在上述(f)步骤之前，具有在被配置于上述芯片分离区域的检查用焊盘上形成在上述(f)步骤中作为上述检查用焊盘的分割起点的槽或者孔的步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述检查用焊盘的邻接之间形成金属图案，并在上述检查用焊盘上形成上述槽或者孔的步骤中，具有在上述金属图案上也形成槽或者孔的步骤。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述布线层具有低介电常数膜。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述金属图案的宽度比上述检查用焊盘的一边的长度小。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

利用激光来形成上述槽或者孔。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：

(a)准备沿着厚度方向具有互为相反一侧的主面和背面的半导体晶片的步骤；

(b)在上述半导体晶片的主面形成元件的步骤；

(c)在上述半导体晶片的主面上形成布线层的步骤；

(d)使上述半导体晶片薄型化的步骤；

(e)通过沿着上述半导体晶片的芯片分离区域对准聚光点向上述半导体晶片内部照射第一激光来形成在以后的半导体晶片切断步骤中作为上述半导体晶片的分割起点的改质区域的步骤；

(f)除去被配置在上述半导体晶片的芯片分离区域上的检查用焊盘的步骤；以及

(g)通过隐形切割方式将上述改质区域作为起点来切断上述半导体晶片而将其分割成半导体芯片的步骤。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述(g)步骤中，通过折弯上述半导体晶片而将上述改质区域作为起点来切断上述半导体晶片而将其分割成半导体芯片的步骤