[发明专利]用于光刻法的系统、掩模和方法

权利要求书

1.一种用于确定在光刻法工艺中的光掩模上使用的掩模图案的方法，其中所述光掩模具有拥有不同光学属性的多个不同类型的区域，所述方法包括：

将目标图案划分成为所述目标图案的子集；

提供第一掩模图案，所述第一掩模图案包括与所述光掩模的所述不同类型的区域相对应的多个不同类型的区域，其中所述第一掩模图案与所述目标图案的所述子集的至少一个相对应；

确定与所述第一掩模图案相对应的第一函数，其中所述第一函数的范围具有大于所述第一掩模图案的不同类型区域的数目的基数，以及其中所述第一函数的域与所述第一掩模图案的平面相对应；以及

至少部分地基于所述第一函数来生成第二函数，其中所述第二函数与第二掩模图案相对应。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括从所述第二函数抽取所述第二掩模图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述抽取包括计算第一组，所述第一组包括与所述第二函数的第一值相对应的一个或者多个区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述抽取包括计算第二组，所述第二组包括与所述第二函数的第二值相对应的一个或者多个区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩模图案被约束至直线型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述生成是根据所述光刻法工艺的模型进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述生成包括根据所述光刻法工艺的模型而修改所述第一函数，以及其中所述光刻法工艺的所述模型包括抗蚀剂模型以及考虑了焦点未对准情况。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩模图案的不同类型区域的所述数目是2。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一掩模图案的所述不同类型区域包括铬区域和玻璃区域。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一掩模图案的所述不同类型区域包括，具有透射比大于预定值的区域以及衰减相移区域。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩模图案与铬-玻璃光掩模、相移光掩模、衰减的相移光掩模或者多曝光光掩模相对应。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数包括水平集函数。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数是对所述第一掩模图案的灰度图或者位图表示。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数包括至少三个值，以及其中第一值和第二值与所述第一掩模图案的区域相对应，以及第三值与所述第一掩模图案的平面中的轮廓相对应。

15.根据权利要求14所述的方法，其中与所述第一值和所述第二值相对应的区域彼此不同。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述生成是根据所述目标图案的至少一个所述子集进行，以及其中所述目标图案的所述至少一个子集与集成电路的至少一部分的物理布局相对应。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标图案的所述至少一个子集包括与GDSII或者OASIS相兼容的格式。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数是距离函数，其中所述第一函数的值与到所述第一掩模图案的所述平面中的最接近的轮廓的距离相对应。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数在所述平面的轮廓上具有预定值。

20.根据权利要求1所述的方法，进一步包括调整所述第二函数，使得其为距离函数，其中所述第二函数的值与到所述第二掩模图案的平面中的最接近的轮廓的距离相对应。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数的值指示在所述第一掩模图案中的所述不同类型区域之间的边界的定位，该位置相较于所述第一掩模图案的所述平面中的相应位置而言具有更细的分辨率。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一函数的值指示在所述光掩模上分隔不同区域的轮廓的位置。