[发明专利]带IM2对消的下变频混频器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

混频器，用于以本机振荡器LO信号将输入射频RF信号下变频并生成输 出基带信号；

IM2发生器，包含用于接收所述输入RF信号并生成具有二阶互调IM2畸 变的中间信号的第一和第二场效应晶体管FET；以及

比例定标单元，用于对所述中间信号作比例定标并生成经比例定标的信号 并将所述经比例定标的信号与所述基带信号组合以对消所述基带信号中的所 述IM2畸变。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二FET的 漏极耦合在一起并且源极接收所述输入RF信号。

3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述IM2发生器进一步 包括耦合到所述第一和第二FET并用于生成差分中间信号的差分信号发生器。

4.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述IM2发生器进一步 包括第一和第二放大器，所述第一放大器耦合在所述第一FET的源极与栅极之 间，并且所述第二放大器耦合在所述第二FET的源极与栅极之间。

5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二放大器 用于为所述输入RF信号提供可变增益。

6.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二放大器 具有用于在所述中间信号中产生不同量的IM2畸变的至少两种增益设置。

7.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二放大器 具有用于生成有至少两种不同的温度变化模式的IM2畸变的至少两种可选增 益。

8.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述IM2发生器进一步 包括用于提供给所述第一和第二放大器的可调偏置电流的偏置电路。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述偏置电路包括可选 择以为所述第一和第二放大器提供至少两种增益设置的多个电阻器。

10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述偏置电路包括可选 择以为所述第一和第二放大器提供至少两种不同增益的多个电阻器。

11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述比例定标单元用于 变换所述中间信号的幅值和极性。

12.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述比例定标单元用于 以选择成减少所述输出基带信号中的IM2畸变的增益来对所述中间信号作比 例定标。

13.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述比例定标单元包括 可配置成在反相及非反相输入上接收所述中间信号的差分电流并将所述差分 电流导引至反相及非反相输出的多个晶体管。

14.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二FET是 N沟道FET(N-FET)。

15.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述混频器和所述IM2 发生器是用场效应晶体管实现的。

16.一种集成电路，包括：

第一混频器，用于以同相本机振荡器LO信号将输入射频RF信号下变频 并生成同相基带信号；

第二混频器，用于以正交LO信号将所述输入RF信号下变频并生成正交 基带信号；

IM2发生器，包含用于接收所述输入RF信号并生成具有二阶互调IM2畸 变的中间信号的第一和第二场效应晶体管FET；

第一比例定标单元，用于对所述中间信号作比例定标以生成第一经比例定 标信号并将所述第一经比例定标信号与所述同相基带信号组合以对消所述同 相基带信号中的IM2畸变；以及

第二比例定标单元，用于对所述中间信号作比例定标以生成第二经比例定 标信号并将所述第二经比例定标信号与所述正交基带信号组合以对消所述正 交基带信号中的IM2畸变。