[发明专利]用于提供减小表面积的电极的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅电极；

至少第一电极，其至少部分地与栅电极重叠，由此形成相应的晶 体管沟道，其中所述第一电极具有贯穿其中的至少一个特意形成的开 口，由此减小第一电极的表面积并由此减小相应的寄生电容。

2.权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个特意形成的开口 远离晶体管沟道。

3.权利要求1的半导体器件，其中所述第一电极具有贯穿其中的 多个特意形成的开口，由此减小第一电极的表面积并由此减小相应的 寄生电容。

4.权利要求3的半导体器件，其中所述多个特意形成的开口具有 彼此大致相等的尺寸。

5.权利要求3的半导体器件，其中所述多个特意形成的开口具有 彼此大致相同的形状。

6.权利要求3的半导体器件，其中所述多个特意形成的开口具有 彼此大致不同的尺寸。

7.权利要求3的半导体器件，其中所述多个特意形成的开口具有 彼此大致不同的形状。

8.权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个特意形成的开口 包括了第一电极的表面积的至少百分之十的减小。

9.权利要求8的半导体器件，其中所述至少一个特意形成的开口 包括了第一电极的表面积的至少百分之五十的减小。

10.权利要求1的半导体器件，进一步包括：

至少第二电极，其也至少部分地与栅电极重叠，由此进一步形成 晶体管沟道，其中所述第二电极具有贯穿其中的至少一个特意形成的 开口，由此减小第二电极的表面积并由此减小相应的寄生电容。

11.权利要求1的半导体器件，其中所述半导体器件包括印刷半 导体器件，所述栅电极包括印刷栅电极，所述第一电极包括第一印刷 电极。

12.一种形成半导体器件的方法，包括：

印刷栅电极

印刷第一印刷电极，该第一印刷电极至少部分地与栅电极重叠， 由此形成相应的晶体管沟道，其中所述第一印刷电极具有贯穿其中的 至少一个特意形成的开口，由此减小第一印刷电极的表面积并由此减 小相应的寄生电容。

13.权利要求12的方法，其中，印刷第一印刷电极进一步包括印 刷第一印刷电极以在最初就包括贯穿其中的至少一个特意形成的开 口。

14.权利要求12的方法，其中，印刷第一印刷电极进一步包括去 除印刷材料，由此形成贯穿其中的至少一个特意形成的开口。

15.权利要求12的方法，其中，印刷第一印刷电极包括远离晶体 管沟道形成贯穿其中的至少一个特意形成的开口。

16.权利要求12的方法，其中，印刷第一印刷电极进一步包括印 刷第一印刷电极，该第一印刷电极至少部分地与栅电极重叠，由此形 成相应的晶体管沟道，其中所述第一印刷电极具有贯穿其中的多个特 意形成的开口，由此减小第一印刷电极的表面积并由此减小相应的寄 生电容。

17.权利要求12的方法，进一步包括：

至少印刷第二印刷电极，该第二印刷电极也至少部分地与栅电极 重叠，由此进一步形成晶体管沟道，其中所述第二印刷电极具有贯穿 其中的至少一个特意形成的开口，由此减小第二印刷电极的表面积并 由此减小相应的寄生电容。

18.一种装置，包括：

印刷栅电极；

至少第一印刷电极，其具有至少部分地与印刷栅电极重叠的确定 的周界，由此形成相应的晶体管沟道，其中，尽管确定了周界，所述 第一印刷电极包括用以减小第一印刷电极的表面积的措施，由此减小 相应的寄生电容。

19.权利要求18的装置，其中所述的用以减小第一印刷电极的表 面积的措施包括贯穿第一印刷电极的至少一个特意形成的开口。