[发明专利]自锁模半导体激光器无效
| 申请号： | 200680040250.1 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101351938A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | W·杨;章力明 | 申请（专利权）人： | 卢森特技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰;王小衡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
1.一种自锁模半导体激光器，包括：
n+磷化铟(InP)衬底；
沉积在所述n+InP衬底上的P+磷化铟(InP)层；
掩埋在所述InP层内的有源波导部分；以及
掩埋在所述InP层内并与所述MQW有源波导部分分隔的第一无源波导部分P1。
2.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，其中所述有源波导部分为多量子阱(MQW)。
3.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，其中所述有源波导部分为体材料。
4.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，其中所述第一无源波导部分由Q1.3折射率材料制成。
5.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，其中所述第一无源波导部分掩埋在所述有源波导部分的下方。
6.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，还包括与所述第一无源波导部分分隔的第二无源波导部分P2，所述第二无源波导部分包括一个或多个无源波导层。
7.如权利要求1所述的自锁模半导体激光器，其中所述第一无源波导部分掩埋在所述有源波导部分的下方且所述第二无源波导部分掩埋在所述第一无源波导部分的下方。
8.如权利要求6所述的自锁模半导体激光器，其中所述第一无源波导部分由Q1.3折射率材料制成且所述第二无源波导部分由选自Q1.1、Q1.2或Q1.3折射率材料的材料制成，其中Q1.1的折射率小于Q1.2，Q1.2的折射率小于Q1.3。
9.如权利要求5所述的自锁模半导体激光器，其中所述第二无源波导部分包括多个相邻的无源波导层，且最靠近所述第一无源波导部分的无源波导层具有最大折射率，且任一随后相邻层的折射率随着所述层远离所述第一无源波导部分而递减。
10.如权利要求6所述的自锁模半导体激光器，其中所述第二无源波导部分与所述第一无源波导部分分隔预定距离。
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