[发明专利]倍半硅氧烷－二氧化钛杂化聚合物

权利要求书

1.一种生产具有小于5纳米二氧化钛相区的倍半硅氧烷-二氧化钛杂化 聚合物的方法，其包含以下步骤：混合有机钛酸酯、一种或多种有机 硅烷、水和酸以形成倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物，有机钛酸酯具 有通式(RO)₄Ti，其中R为具有1-20个碳原子且任选含有一个或多个杂 原子的烷基、芳香基或烷芳基，一种或多种有机硅烷具有通式X_aSiZ_4-a， 其中a为1或2或3，且至少某一有机硅烷的a为1；其中X为具有1-20 个碳原子且任选含有一个或多个杂原子的烷基、烯基、芳香基或烷芳 基；且其中Z为羟基或可水解基团，且在有机硅烷化合物各处出现时， 其可相同或不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物 包含烯基和芳香基。

3.根据权利要求2所述的方法，其中倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物 的烯基为乙烯基。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚 合物的芳香基为苯基。

5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其中R为正丁基。

6.一种涂料，其含有根据权利要求1-5任一项所述的方法制得的倍半 硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物。

7.根据权利要求6所述的涂料，其中倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物 的二氧化钛相区尺寸小于5纳米。

8.一种用于形成微电子器件布线图的光刻法，其包含以下步骤：在电 介质涂布的硅晶片上涂布减反射膜；在减反射膜上形成光致抗蚀剂材 料的图形，因此，使部分减反射膜暴露；蚀刻暴露的减反射膜，其中 减反射膜包括权利要求1-5任一项制得的聚合物。

9.一种微电子器件，其根据权利要求8所述的方法制得。

10.根据权利要求8所述的方法，其中通过控制聚合物的二氧化钛含 量来调控聚合物的介电常数。