[发明专利]实现磁隧道结电流传感器的方法

权利要求书

1.一种产生集成电路的方法，所述集成电路用于感测由安置在基 板中的有源电路部件产生的第一电流，所述方法包括：

提供传导数字线；

在所述有源电路部件和所述传导数字线上面提供磁隧道结电流传 感器，包括：

淀积第一传导磁隧道结电极层；

在所述第一传导磁隧道结电极层上，淀积由隧道阻挡层分隔 开的自由层和钉扎层；以及

对所述自由层、所述隧道阻挡层和所述钉扎层进行构图，其 中经过构图的自由层、经过构图的隧道阻挡层和经过构图的钉扎层包 括磁隧道结内核；

其中，所述自由层和所述钉扎层的几何特征关于纵横比、相 对取向、尺寸和形状中的至少一个发生变化；

在所述磁隧道结电流传感器上面提供传导比特线，使得每个磁隧 道结内核独特地安置在所述传导数字线和所述传导比特线之间；以及

将所述传导数字线和所述传导比特线耦合到所述有源电路部件， 使得所述磁隧道结内核被配置为感测所述第一电流并且基于所述第一 电流产生第二电流。

2.如权利要求1所述的方法，其中每个磁隧道结内核被配置为电 磁耦合到所述有源电路部件。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述有源电路部件安置在基板 中，并且通过前端制造工艺由前端层形成，并且其中在所述前端制造 工艺之后，通过后端制造工艺由后端层在所述有源电路部件上方形成 所述磁隧道结内核。

4.如权利要求1所述的方法，其中淀积自由层包括淀积在所述自 由层的平面中具有正方形形状的自由层。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

在每个磁隧道结内核上淀积第二传导磁隧道结电极层；以及

在所述第二传导磁隧道结电极层上面淀积层间电介质层。

6.如权利要求5所述的方法，所述方法进一步包括：

在所述层间电介质层上面淀积所述传导比特线。

7.一种制造包括磁隧道结电流传感器的集成电路的方法，所述方 法包括：

提供基板，该基板具有嵌入于其中的有源电路部件，其中所述有 源电路部件产生第一电流；

在所述有源电路部件上面提供磁隧道结电流传感器；以及

将数字线和比特线耦合到所述有源电路部件，

其中所述磁隧道结电流传感器被安置在所述数字线和所述比特线 之间，并且被配置为感测所述第一电流以及基于由所述磁隧道结电流 传感器感测的所述第一电流来产生第二电流，所述提供所述磁隧道结 电流传感器包括：

淀积第一传导磁隧道结电极层；

在所述第一传导磁隧道结电极层上，淀积由隧道阻挡层分隔 开的自由层和钉扎层；以及

对所述自由层、所述隧道阻挡层和所述钉扎层进行构图，其 中经过构图的自由层、经过构图的隧道阻挡层和经过构图的钉扎层包 括磁隧道结内核；

其中，所述自由层和所述钉扎层的几何特征关于纵横比、相对取 向、尺寸和形状中的至少一个发生变化。

8.如权利要求7所述的方法，所述淀积自由层包括淀积在所述自 由层的平面中具有正方形形状的自由层。

9.如权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括：

淀积所述数字线；

在第二传导磁隧道结电极层上面淀积层间电介质层；以及

在所述层间电介质层上面淀积所述比特线。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述磁隧道结电流传感器包 括：伪MRAM单元，该伪MRAM单元包括：

所述数字线；

所述比特线，和

特定的磁隧道结内核，其中所述特定的磁隧道结内核对所述第一 电流的改变作出响应。