[发明专利]用于对具有减少的编程干扰的NAND类型的非易失性存储器进行编程的以末为先模式

权利要求书

1.一种用于对非易失性存储装置进行编程的方法，其包括：

提供第一及第二子组非易失性存储元件，其位于一组非易失性存储元件中，其中 所述一组非易失性存储元件布置成多个NAND串；

提供包含第一及第二子组字线的多个字线，其按从第一字线到最后一个字线的顺 序延伸，其中将所述第一字线布置在所述组的源极侧处，且将所述最后一个字线布置 在所述组的漏极侧处；

使用所述第一子组多个字线对一组非易失性存储元件中的所述第一子组非易失 性存储元件进行编程，从所述最后一个字线开始，按照与所述多个字线的所述延伸顺 序相反的顺序对所述第一子组非易失性存储元件进行编程；及

在所述对所述第一子组非易失性存储元件编程后，使用所述第二子组多个字线对 所述组中的所述第二子组非易失性存储元件进行编程，其中从所述第一字线开始，按 照与所述多个字线的所述延伸顺序对所述第二子组非易失性存储元件进行编程。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

由所述第一字线对所述第二子组非易失性存储元件的至少一部分进行编程。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

从所述第一字线开始，进行到用于对所述第一子组非易失性存储元件的至少一部 分进行编程的字线相邻的字线，以对所述第二子组非易失性存储元件的编程。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述对所述第二子组非易失性存储元件进行编程后，对所述组中的第三子组非 易失性存储元件进行编程；

其中由介于所述第一子组与第二子组所述多个字线之间的字线来对所述第三子 组非易失性存储元件进行编程。

5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

存储数据，所述数据基于确定在将以所述多个字线延伸的顺序对所述组中的所述 非易失性存储元件进行编程的情况下期望所述组中的哪些非易失性存储元件经历经界 定的失败位电平来识别所述第一子组的所述多个字线。

6.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

使用第一抑制模式抑制所述第一子组非易失性存储元件中的未选择非易失性存 储元件以减少编程干扰；及

使用不同于所述第一抑制模式的第二抑制模式抑制所述第二子组非易失性存储 元件中的未选择非易失性存储元件以减少编程干扰。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

所述第一抑制模式是自增压模式；及

所述第二抑制模式是已擦除区域自增压模式。

8.如权利要求7所述的方法，其中：

以所述自增压模式向一个或一个以上未选择字线施加通过电压Vpass；及

以所述已擦除区域自增压模式，向选定字线的位线侧上和所述选定字线的共用侧 上的一个或一个以上未选择字线而不是与所述共用侧上的所述选定字线相邻的字线施 加通过电压Vpass，所述与所述共用侧上的所述选定字线相邻的字线接收稳态电压 Vss，以及向所述组正受抑制的非易失性存储元件中的位线施加抑制电压Vdd，其中所 述正受抑制的非易失性存储元件与正被编程的非易失性存储元件位于同一字线上。

9.如权利要求7所述的方法，其进一步包括：

对正受抑制且与正被编程的非易失性存储元件位于同一字线上的非易失性存储 元件的沟道预充电，以便在使用所述自增压模式或所述已擦除区域自增压模式时所述 沟道以高于接地电位的电位开始。

10.如权利要求6所述的方法，其中：

所述第一抑制模式是自增压模式；及

所述第二抑制模式是经修订的已擦除区域自增压模式。