[发明专利]电可编程熔丝

权利要求书

1.一种电可编程熔丝，包括：

衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；

在所述半导体层中形成的二极管(400)，所述二极管包括具有第一极性的第一重掺杂区、具有第二、相反极性的第二重掺杂区和所述第一和第二重掺杂区之间的轻掺杂区；所述电可编程熔丝还包括：

形成于所述二极管上的作为熔丝元件的硅化物层，该熔丝元件与所述第一重掺杂区、所述轻掺杂区和所述第二重掺杂区接触，并且该熔丝元件从所述第一重掺杂区经过所述轻掺杂区延伸到所述第二重掺杂区。

2.根据权利要求1的电可编程熔丝，其中：

所述二极管的具有所述第一重掺杂区的第一子部形成阴极；

所述二极管的具有所述第二重掺杂区的第二部形成阳极；并且

当施加至所述阴极的电压比施加至所述阳极的电压更负时，所述二极管适于在所述硅化物层中形成间隙，由此暴露所述第一重掺杂区耦合至所述轻掺杂区之处的二极管的部分并且由此编程所述电可编程熔丝。

3.根据权利要求2的电可编程熔丝，其中当反向偏置时所述二极管还适于提供预定的电阻。

4.根据权利要求3的电可编程熔丝，其中当反向偏置时所述二极管还适于限制通过所述电可编程熔丝的电流至预定值。

5.根据权利要求1的电可编程熔丝，其中：

所述第一重掺杂区是N+掺杂区；

所述轻掺杂区是耦合至所述N+掺杂区的P-掺杂区；和

所述第二重掺杂区是耦合至所述P-掺杂区的P+掺杂区。

6.根据权利要求1的电可编程熔丝，其中：

所述第一重掺杂区是P+掺杂区；

所述轻掺杂区是耦合至所述P+掺杂区的N-掺杂区；和

所述第二重掺杂区是耦合至所述N-掺杂区的N+掺杂区。

7.根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述半导体层包括多晶硅。

8.根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述半导体层包括硅。

9.一种电可编程熔丝的制造方法，包括：

提供包括绝缘氧化物层和所述绝缘氧化物层上方的半导体层的衬底；

在所述半导体层中形成二极管，其中所述在半导体层中形成所述二极管的步骤包括的步骤是：

在所述半导体层中形成具有第一极性的第一重掺杂区；

在所述半导体层中形成具有第二、相反极性的第二重掺杂区；并且

在所述半导体层中所述第一和第二重掺杂区之间形成轻掺杂区；以及

在所述二极管上形成作为熔丝元件的硅化物层，该熔丝元件与所述第一重掺杂区、所述轻掺杂区和所述第二重掺杂区接触，并且该熔丝元件从所述第一重掺杂区经过所述轻掺杂区延伸到所述第二重掺杂区。

10.根据权利要求9的方法，其中：

所述二极管的具有所述第一重掺杂区的第一子部形成阴极；

所述二极管的具有所述第二重掺杂区的第二部形成阳极；并且

当施加至阴极的电压比施加至阳极的电压更负时，所述二极管适于在硅化物层中形成间隙，由此暴露所述第一重掺杂区耦合至所述轻掺杂区之处的二极管部分并且由此编程所述电可编程熔丝。

11.根据权利要求9的方法，其中：

形成所述第一重掺杂区包括形成N+区；

形成所述第二重掺杂区包括形成P+区；并且

形成所述轻掺杂区包括形成P-区。

12.根据权利要求9的方法，其中：

形成所述第一重掺杂区包括形成P+区；

形成所述第二重掺杂区包括形成N+区；并且

形成所述轻掺杂区包括形成N-区。

13.根据权利要求9的方法，其中：

形成所述第一重掺杂区包括采用第一注入工艺从而形成所述第一重掺杂区；

形成所述第二重掺杂区包括采用第二注入工艺从而形成所述第二重掺杂区；并且

形成所述轻掺杂区包括采用第三注入工艺从而形成所述轻掺杂区。