[发明专利]写入条件优化方法和设备以及光记录介质

说明书

技术领域

本发明的各方面涉及一种用于优化光记录介质的写入条件的方法和设备及其光记录介质。 

背景技术

传统的写入条件优化方法可包括：通过在按照预定模式执行写入之后的再现期间，提取写入模式边沿与PLL(锁相环)时钟边沿之间的相位差作为误差脉冲来确定具有最小相位差的写入脉冲，获得一种来自根据标记(mark)和空白(space)的组合存在相位差的信息表的误差脉冲被最小化的条件，对于盘重复写入并再现写入模式的操作。 

另一传统的写入条件优化方法包括通过最小化抖动来优化写入的方法。在该方法中，按照非对称校正方法来首先优化写入功率。然后，通过移动标记边沿来确定写入脉冲。也就是说，确定写入脉冲的第一脉冲和最后脉冲以最小化抖动值。 

这些方法基本上使用过零(zero-crossing)方法来测量抖动或者使用写入模式边沿与PLL时钟边沿之间的相位差来优化写入。然而，随着盘的容量增加，上述和/或其它方法的使用变得不可行。 

图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm，NA为0.85(其中，分辨率为119nm(＝405nm/(4×0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF信号的曲线图。如图1所示，对于25GB的RF信号，RF信号比较清楚，从而可按照过零方法来估计信号，并且可使用该方法进行写入优化。也就是说，如图A所示，由于RF信号清楚地跨过零点，因此，可按照过零方法来进行写入优化。 

如图1B所示，对于50GB的RF信号，由于小于分辨率(2T＝75nm并且3T＝112.5nm)的信号不能被检测到，所以不能按照上述传统的写入条件优化方法来实现写入优化。也就是说，由于RF信号没有在由圈B指示的部分中跨过零点，所以难以检测写入RF信号的过零情况。 

发明内容

技术问题 

所述现象在包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘的随机信号中同样存在。在Super-RENS盘中，激光束本身的大小没有减小，但是光学特性在盘的部分区域改变。因此，由于标记的长度减小而激光束的原始大小没有改变，所以标记位于激光束的一个光斑的范围之内，因此干扰信号。当特定标记的信号电平由于上述符号间干扰而受到位于所述特定标记之前和之后的标记的信号电平的影响时，即使标记或空白的长度相同，标记或空白的信号电平也变得不一致。因此，不能使用过零方法。所以，用于传统光盘的写入优化方法不能用于包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘。因此，需要新的方法来进行写入优化。 

技术方案 

为了解决上述和/或其它问题，本发明的各方面提供一种写入条件优化方法和设备及其信息存储介质，所述方法和设备通过在高密度信息记录介质(具体为超分辨率盘)中最优地确定写入条件来改善信号的质量。 

有益效果 

根据本发明的各方面，对于无法使用过零检测方法的高密度信息存储介质的光记录介质，可有效地优化写入条件。此外，可通过改善信号的质量来再现高容量记录。 

附图说明

通过下面结合附图进行的对实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将会变得清楚和更加容易理解，其中： 

图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm，NA为0.85(其中，分辨率为119nm(＝405nm/(4×0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF信号的曲线图； 

图2是示出根据本发明实施例的记录/再现设备的配置的示图； 

图3是用于解释根据本发明实施例的写入条件优化方法的流程图； 

图4是用于图3的写入条件优化方法的测试写入模式的时序图； 

图5A和图5B示出根据图3的写入条件优化方法的误差改进方向； 

图6A和图6B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 

图7A和图7B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 

图8A和图8B是示出根据重复误差的占空时间量的改变的曲线图；以及 

图9是示出写入占空时间调整量的信息记录介质的示图。 

具体实施方式

最佳方式 

根据本发明的一方面，一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据，将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较，以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。