[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680041227.4 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101300681A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 松木薗广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具有多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，
该多晶半导体层其表面粗糙度是9nm以下，
该栅绝缘膜具有如下的层叠构造，即：氧化硅膜设在多晶半导体层一侧、包括介电常数比氧化硅高的材料的膜设在栅电极一侧的层叠构造。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述包括介电常数比氧化硅高的材料的膜是氮化硅膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在多晶半导体层和栅电极对置的区域中，上述氧化硅膜比包括介电常数比氧化硅高的材料的膜的膜厚大。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述多晶半导体层在剖面具有正锥形形状，而且锥形角度是45°以上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述多晶半导体层在剖面具有正锥形形状，而且锥形角度是75°以下。
6.一种根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
该制造方法包括使用激光器使非晶半导体层结晶化而形成多晶半导体层的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述结晶化工序至少进行两次激光照射。
8.一种根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
该制造方法保持真空在同一装置内连续地形成层叠构造的栅绝缘膜。
9.一种显示装置，其特征在于，具备根据权利要求1所述的半导体装置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，上述显示装置是液晶显示装置。
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