[发明专利]光电变换装置

权利要求书

1、一种光电变换装置，在导电性基板的表面作为光电变换元件起作用的多个半导体要素互相隔开间隔而配置，并且在上述多个半导体要素之上以及它们之间的上述导电性基板上形成有透光性导体层，进而在该透光性导体层的表面形成有集电极，

上述集电极由形成有能使外光照射到上述各半导体要素的多个贯通孔的导电板构成。

2、根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，

上述导电板覆盖对上述半导体要素间的光电变换处于非活性的光非活性部。

3、根据权利要求1或者2所述的光电变换装置，其特征在于，

上述半导体要素是在表层形成有第2导电型的半导体部的第1导电型的结晶半导体粒子，

该结晶半导体粒子的多个互相隔开间隔而接合在导电性基板上，并且在该结晶半导体粒子间的导电性基板上形成有绝缘层，上述透光性导体层形成在绝缘层上以及上述结晶半导体粒子上，在上述透光性导体层以及上述集电极上形成有使光聚光到上述结晶半导体粒子的每一个的透光性聚光层。

4、根据权利要求3所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层通过光折射作用使光聚光到上述结晶半导体粒子的每一个。

5、根据权利要求3或4所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层在上述结晶半导体粒子的每一个的上方以凸状的曲面形状形成。

6、根据权利要求1～5中任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

上述导电性基板由铝构成，上述半导体要素由硅构成。

7、根据权利要求1～6中任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

上述集电极包括从金、白金、银、铜、铝、锡、铁、镍、铬以及锌中选择的至少一种。

8、根据权利要求7所述的光电变换装置，其特征在于，

上述集电极由厚度为5μm以上的铜箔构成。

9、根据权利要求3～8中任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层是非球面形状，而且纵截面中的轮廓形状是直径比上述结晶半导体粒子大的大致半圆状且横方向的宽度比高度小的大致半圆状。

10、根据权利要求9所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层的顶部是与上述结晶半导体粒子的曲率相同的球面状。

11、根据权利要求10所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层，纵截面中的轮廓形状的除顶部以外的两侧部由直径比上述结晶半导体粒子的直径大的圆弧构成。

12、根据权利要求11所述的光电变换装置，其特征在于，

上述圆弧的直径是上述结晶半导体粒子的直径的2～2.5倍。

13、根据权利要求3～12中任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

上述透光性聚光层由从乙烯乙酸乙烯酯树脂、氟树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚芳酯树脂、聚苯醚树脂、硅酮树脂、聚苯硫醚树脂以及聚烯烃树脂中选择的至少一种构成。

14、根据权利要求1或2所述的光电变换装置，其特征在于，

上述半导体要素由在表层形成有第2导电型的半导体部的第1导电型的结晶半导体粒子构成，

该结晶半导体粒子的多个互相隔开间隔而接合在导电性基板上，并且在该结晶半导体粒子间的导电性基板上形成有绝缘层，

在上述集电极上设置有具有使光聚光到上述各结晶半导体粒子的凹面镜形状的光反射面的光反射部件。

15、根据权利要求14所述的光电变换装置，其特征在于，

上述集电极通过导电性粘接层粘接在上述透光性导体层上，上述光反射部件具有聚光到上述结晶半导体粒子的凹面镜形状的光反射面，并且在上述光反射面的下端部形成有使上述结晶半导体粒子的上部露出的开口。

16、根据权利要求14或15所述的光电变换装置，其特征在于，

上述光反射部件由树脂构成，并且在表面形成有由金属构成的光反射层。

17、根据权利要求16所述的光电变换装置，其特征在于，

上述光反射层由铝构成。