[发明专利]微结构化光纤及其制造方法

权利要求书

1.一种微结构化的光纤，其包括：

具有第一折射率的芯区域和具有第二折射率的包覆层区域，所述第二折射率小于芯区域的第一折射率，使得通过所述光纤传输的光基本被保持在所述芯内，所述包覆层中包括至少一个由大量非周期性定位的孔穴组成的区域，大于95％的所述孔穴的最大直径等于或小于1550纳米，所述光纤在600-1550纳米之间的至少一种波长下的衰减小于500dB/km。

2.如权利要求1所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤中大于95％的所述孔穴的最大直径等于或小于775纳米。

3.如权利要求1所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米的衰减小于200dB/km。

4.如权利要求3所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤的包覆层中整个含孔穴的区域的区域孔穴面积百分数约大于0.5％且约小于20％。

5.如权利要求1所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述包含非周期性分布的空穴的区域不是与芯直接相邻的。

6.如权利要求3所述的微结构化的光纤，其特征在于，与所述芯相距在10微米以内的所述光纤包覆层的至少一部分的区域孔穴面积百分数约大于1.0％。

7.如权利要求1所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述芯包含锗。

8.如权利要求3所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述芯包含锗。

9.如权利要求7所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤在围绕直径为10毫米的芯轴弯曲的时候，在1550纳米下的衰减增大小于20dB/圈。

10.如权利要求1所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述各个孔穴的最大直径小于375纳米。

11.一种微结构化的光纤，其包括：

具有第一折射率的芯区域和具有第二折射率的包覆层区域，所述第二折射率低于芯区域的第一折射率，使得在所述光纤中传输的光基本保持在芯区域内，所述包覆层中包括含有孔穴的区域，所述含有孔穴的区域由大量非周期性定位的孔穴组成，所述含孔穴的区域中至少95％的孔穴的最大直径等于或小于1550纳米，所述光纤的总光纤孔穴面积百分数大于0.01％。

12.如权利要求11所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤的总光纤孔穴面积百分数小于10％。

13.如权利要求11所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤的平均光纤直径小于1550纳米，所述空穴的标准偏差小于1微米。

14.如权利要求11所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤在围绕直径为10毫米的芯轴弯曲的时候，其在1550纳米下的衰减增大小于20dB/圈。

15.如权利要求12所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述含孔穴的区域与所述芯隔开。

16.如权利要求11所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述含孔穴的区域包含至少25个空穴，所述含孔穴的区域中空穴的平均直径小于2000纳米。

17.如权利要求11所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述含孔穴的区域包含至少25个空穴，所述含孔穴的区域内空穴的平均直径小于775纳米。

18.一种微结构化的光纤，其包括：

具有第一折射率的芯区域和具有第二折射率的包覆层区域，所述第二折射率低于芯区域的第一折射率，使得在所述光纤中传输的光基本保持在芯区域内，所述包覆层中包括一个区域，所述区域包围所述芯区域，由平均直径约小于2000纳米、标准偏差约小于750纳米的孔穴组成，所述包含孔穴的区域与所述光纤的芯区域隔开。

19.如权利要求18所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述包含空穴的区域包含约25-200个空穴。

20.如权利要求18所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述包含空穴的区域内空穴的平均直径小于775纳米。

21.如权利要求18所述的微结构化的光纤，其特征在于，所述光纤在围绕直径为10毫米的芯轴弯曲的时候，其在1550纳米下的衰减增大小于20dB/圈。