[发明专利]具有高可制造性的多条激光二极管设计

权利要求书

1.一种半导体激光装置，包括形成在一个公共基底上的至少两个激光器件，其中所述半导体激光装置被适当设置从而使得在使用中一个优选的激光器件是可工作的且剩下的激光器件是冗余的。

2.根据权利要求1的半导体激光装置，其中每一个激光器件包括波长选择结构，其中所述至少两个激光器件的这些波长选择结构相对于它们各自的小面彼此偏移。

3.根据权利要求2的半导体激光装置，其中有N个激光器件且其中各激光器件之间的偏离大体为mλ/n_eff，其中m是一个奇数。

4.根据权利要求3的半导体激光装置，其中N为2。

5.根据权利要求1的半导体激光装置，其中所述至少两个激光器件包括一个第一激光器件和一个第二激光器件，其中所述第一激光器件和第二激光器件是不同类型的激光器。

6.根据权利要求5的半导体激光装置，其中所述第一激光器件是一个单频激光二极管。

7.根据权利要求6的半导体激光装置，其中所述第一激光器件是一个法-布二极管。

8.根据权利要求1的半导体激光装置，其中为优选的激光器件提供了至外部的连接但没有为剩下的激光器件提供这种连接。

9.根据权利要求8的半导体激光装置，其中所述至外部的连接包括一条接合连线。

10.制造激光装置的一种方法，包括以下步骤：

a.提供一个基底，

b.在所述基底上制作至少两个激光器件，

c.从所述至少两个激光器件中确定一个优选的激光器件，以及

d.对所述激光装置进行配置从而使所述优选的激光器件得到激活连接且剩下的激光器件成为冗余。

11.根据权利要求10的制造方法，其中该方法包括：

在所述至少两个激光器件的每一个上制作波长选择特征的步骤。

12.根据权利要求11的制造方法，其中所述激光器件的所述波长选择特征是彼此错开的。

13.根据权利要求12的制造方法，其中所述错开的距离mλ/4n_eff，其中，λ是这些器件的波长，n是器件的数目，m是一个奇数。

14.根据权利要求10至13中的任何一项的制造方法，其中相邻的脊之间的距离约为或小于20微米。

15.根据权利要求10的制造方法，其中所述至少两个器件被制作成彼此异相的。

16.根据权利要求15的制造方法，其中所述相位差是通过改变所述器件之一的部分的有效折射率而提供的。

17.根据权利要求15的制造方法，其中所述相位差是通过使平版印刷图案相对晶轴偏离对准而获得的。

18.根据权利要求17的制造方法，其中所述偏离对准在约0.5度的量级。

19.根据权利要求18的制造方法，其中所述角度偏离对准为0.5±0.1。

20.根据权利要求10的制造方法，其中所述至少两个激光器件包括一个第一激光器件和一个第二激光器件，其中所述第一激光器件是一种第一类型的且所述第二激光器件是一种第二类型的。

21.根据权利要求10的制造方法，其中所述第二类型的器件是一种法-布器件。

22.根据权利要求21的制造方法，其中所述第一类型的器件是一种单频激光二极管。