[发明专利]氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法

权利要求书

1、一种氮化物半导体发光元件，至少依次具备：n侧电极、n型氮化物半导体层、发光区域、p型氮化物半导体层、p侧电极，其特征在于，在所述发光区域的n侧电极侧具有台阶，从所述p侧电极到台阶位置，沿层叠方向形成有第一保护绝缘膜。

2、如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述第一保护绝缘膜具有比所述n型氮化物半导体层以及p型氮化物半导体层小的折射率。

3、如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一保护绝缘膜的外侧形成有第二保护绝缘膜，其折射率比该第一保护绝缘膜小。

4、一种氮化物半导体发光元件制造方法，在生长用基板上至少依次具备：n型氮化物半导体层、发光区域、p型氮化物半导体层，通过进行蚀刻形成从p型氮化物半导体层到生长用基板的分离这些半导体层的分离槽，其特征在于，进行蚀刻直到越过所述发光区域的位置而形成第一分离槽后停止蚀刻，沿层叠方向一直到所述第一分离槽的深度之后形成第一保护绝缘膜，通过蚀刻形成第二分离槽，该第二分离槽是将所述第一分离槽进一步延伸直到所述生长用基板。

5、如权利要求4所述的氮化物半导体发光元件制造方法，其特征在于，在形成所述第二分离槽之后，以和所述生长用基板相对的方式使支持基板与生长层的上侧接合，其后，分离所述生长用基板。