[发明专利]包括具有与应力层相邻的有源区的晶体管结构的电子器件以及用于形成该电子器件的工艺

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，所述第一有源区具有沿第一沟道长度方向延伸的第一边缘；

包括第二有源区的所述第一传导类型的第二晶体管结构，所述第二有源区具有沿第二沟道长度方向延伸的第二边缘；

位于所述第一和第二有源区之间的场隔离区的一部分；以及

位于所述场隔离区所述部分上面的第一应力类型的层的一部分，其中，所述第一应力类型的所述层的所述部分不是侧壁间隔物并且具有位于与所述第一有源区的所述第一边缘相邻的第一边缘和位于与所述第二有源区的所述第二边缘相邻的第二边缘，

其中：

所述第一有源区进一步包括第三边缘、第四边缘、和第五边缘，

其中自顶视图观察，所述第一和第三边缘位于沿着所述第一有源区的第一对相对边缘，并且所述第四和第五边缘位于沿着所述第一有源区的第二对相对边缘；

所述第一应力类型的层的所述部分进一步包括第三边缘，第四边缘、和第五边缘，其中自顶视图观察：

所述层的所述部分的所述第三边缘位于与所述第一有源区的所述第三边缘相邻；

所述层的所述部分的所述第四边缘位于与所述第一有源区的所述第四边缘相邻；

所述层的所述部分的所述第五边缘位于与所述第一有源区的所述第五边缘相邻；

第一距离是所述第一有源区的所述第一边缘和所述层的所述部分的所述第一边缘之间的距离；

第二距离是所述第一有源区的所述第三边缘和所述层的所述部分的所述第三边缘之间的距离；

第三距离是所述第一有源区的所述第四边缘和所述层的所述部分的所述第四边缘之间的距离；

第四距离是所述第二有源区的所述第五边缘和所述层的所述部分的所述第五边缘之间的距离；

第一总和是所述第一和第二距离的总和，而第二总和是所述第三和第四距离的总和；以及

所述第一总和小于所述第二总和。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一传导类型是p型并且所述第一应力类型是拉伸。

3.如权利要求2所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向是晶向<110>的主表面。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一传导类型是n型并且所述第一应力类型是压缩。

5.如权利要求4所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向是晶向<100>或<110>的主表面。

6.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一传导类型是p型并且所述第一应力类型是压缩。

7.如权利要求6所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向是晶向<100>的主表面。

8.一种电子器件，包括：

包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，该第一有源区具有第一边缘和第二边缘，其中：

所述第一边缘具有沿所述第一晶体管结构的沟道长度方向延伸的长度；以及

所述第二边缘具有沿所述第一晶体管结构的沟道宽度方向延伸的长度；

与所述第一有源区相邻的场隔离区；和

位于所述场隔离区上面的第一应力类型的层，其中自顶视图观察：

所述层不是所述第一晶体管结构的侧壁间隔物结构的一部分；

所述层的第一边缘位于与所述第一有源区的所述第一边缘相邻；

所述层的第二边缘位于与所述第一有源区的所述第二边缘相邻；

第一距离是所述第一有源区的所述第一边缘和所述层的所述第一边缘之间的距离；

第二距离是所述第一有源区的所述第二边缘和所述层的所述第二边缘之间的距离；以及

所述第一距离小于所述第二距离。

9.如权利要求8所述的电子器件，其中所述第一传导类型是p型并且所述第一应力类型是拉伸。

10.如权利要求8所述的电子器件，其中所述第一传导类型是n型并且所述第一应力类型是压缩。