[发明专利]用于厚的光致抗蚀剂层的可显影底涂组合物

权利要求书

1、用于光致抗蚀剂的底涂组合物，包含在碱性显影剂水溶液中不 溶、但在显影前变得可溶的聚合物，和在曝光辐射下产生强酸的光致 产酸剂，而且所述聚合物在曝光辐射下是透明的。

2、根据权利要求1的底涂组合物，其中聚合物包含至少一种具有 酸不稳定基团的单元。

3、根据权利要求2的底涂组合物，其中酸不稳定基团是选自下述 的至少一种基团：-(CO)O-R，-O-R，-O(CO)O-R，-C(CF₃)₂O-R， -C(CF₃)₂O(CO)O-R，-C(CF₃)₂(COOR)，-O-CH₂-(CH₃)-OR， -O-(CH₂)₂-OR，-C(CF₃)₂-O-CH₂(CH₃)(OR)，-C(CF₃)-O-(CH₂)₂-OR， -O-CH₂(CO)-OR和-C(CF₃)-OC(CH₃)(CO)-OR，其中R是选自烷基， 环烷基，取代环烷基，氧代环己基，环状内酯，苄基，甲硅烷基，烷 基甲硅烷基，取代苄基，烷氧基烷基如乙氧基乙基或甲氧乙氧基乙基， 乙酰氧基烷氧基烷基如乙酰氧基乙氧基乙基，四氢呋喃基，薄荷基， 四氢吡喃基，和甲羟戊酸内酯。

4、根据权利要求2或3的底涂组合物，其中聚合物还包括衍生自 不饱和单体的单元。

5、根据权利要求1～4任一项的底涂组合物，其中底涂组合物形 成厚度为约5nm至约1微米的层。

6、根据权利要求1～5任一项的底涂组合物，其中曝光波长为约 440nm至约150nm。

7、根据权利要求1～6任一项的底涂组合物，其中曝光波长选自 436nm、365nm、宽谱带紫外辐射、248nm和193nm。

8、根据权利要求1～7任一项的底涂组合物，其中底涂组合物形 成k值小于0.099的层。

9、根据权利要求1～8中任一项的底涂组合物，其中底涂组合物 的光致产酸剂选自重氮盐，碘鎓盐，和锍盐，重氮磺酰化合物，磺酰 氧酰亚胺，硝基苄基磺酸酯，和亚氨基磺酸酯。

10、根据权利要求1～9中任一项的底涂组合物，其中聚合物衍生 自选自下述的至少一种单体：甲基金刚烷的甲基丙烯酸酯，甲羟戊酸 内酯的甲基丙烯酸酯，3-羟基-1-金刚烷基甲基丙烯酸酯，β-羟基-γ- 丁内酯的甲基丙烯酸酯，叔丁基降冰片基羧酸酯，叔丁基甲基金刚烷 基甲基丙烯酸酯，甲基金刚烷基丙烯酸酯，丙烯酸叔丁酯，和甲基丙 烯酸叔丁酯；叔丁氧羰氧基乙烯基苯，苄氧基羰氧基乙烯基苯；乙氧 基乙基氧基乙烯基苯；乙烯基苯酚的三甲基甲硅烷醚，甲基丙烯酸甲 酯的2-三(三甲基甲硅烷基)甲硅烷基乙酯。

11、根据权利要求1～10中任一项的组合物用于在光致抗蚀剂层 下面形成底涂层的用途。

12、形成正像的方法，包括：

a)在基材上提供权利要求1～10中任一项所述底涂膜层；

b)在底涂膜上方提供顶部光致抗蚀剂涂层；

c)使光致抗蚀剂层和底涂膜在一个步骤中以成像方式进行曝光辐 射；

d)曝光后烘烤基材；和

e)用碱性显影剂水溶液使光致抗蚀剂层和底涂层显影。

13、根据权利要求12的方法，其中底涂膜具有小于25纳米的厚 度。

14、根据权利要求12或13的方法，其中底涂膜的k值为小于 0.099。

15、根据权利要求12～14中任一项的方法，其中光致抗蚀剂层含 有化学增强光致抗蚀剂。