[发明专利]金属络合物、发光材料及发光元件

权利要求书

1.一种金属络合物，其中心金属M为选自由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg构成的组中的一种，其特征是，不含有卤素单齿配位体，在利用计算科学方法得到的最高占有分子轨道(HOMO)中，中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平方之和在全部原子轨道系数的平方之和中所占的比例在1/3以上，另外利用计算科学方法得到的最低单重态激发能量(S1)与最低三重态激发能量(T1)的能量差(S1-T1)在0.1(eV)以上1.0(eV)以下，最低单重态激发中的振子强度(f)在0.005以上1.0以下。

2.根据权利要求1所述的金属络合物，其中，上述f与(S1-T1)处于由f≤0.24×(S1-T1)+0.06和f≥0.24×(S1-T1)-0.06规定的范围内。

3.根据权利要求2所述的金属络合物，其中，(S1-T1)在0.1(eV)以上0.28(eV)以下，并且振子强度(f)在0.005以上。

4.根据权利要求2所述的金属络合物，其中，(S1-T1)大于0.28(eV)而在1(eV)以下，并且振子强度(f)在0.035以上。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的金属络合物，其中，(S1-T1)在0.15(eV)以上0.28(eV)以下，并且振子强度(f)在0.025以上0.05以下。

6.根据权利要求2或4所述的金属络合物，其中，(S1-T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子强度(f)在0.07以上0.3以下。

7.根据权利要求2或4所述的金属络合物，其中，(S1-T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子强度(f)在0.09以上0.3以下。

8.根据权利要求2或4所述的金属络合物，其中，(S1-T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子强度(f)在0.10以上0.25以下。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的金属络合物，其是非离子性的。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的金属络合物，其具有至少一个以上含有一个以上的芳香环的多齿螯合配位体。

11.一种金属络合物，其特征是，具有以下述通式(1-1)表示的局部结构，

[化1]

(上述通式(1-1)中，M表示上述中心金属，R₁～R₂以及Ra～Rf分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯基或卤原子，其中R₁及R₂的至少一个是以下述式(2)表示的基，式(2)中，R₁₁～R₁₉分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯基或卤原子，另外，波浪线的位置表示结合位置。)

[化2]

12.根据权利要求1～10中任意一项所述的金属络合物，其特征是，具有以上述通式(1-1)表示的局部结构。

13.根据权利要求1～10中任意一项所述的金属络合物，其特征是，具有以下述通式(1-2)表示的局部结构，

(所述通式(1-2)中，M表示上述中心金属，Ra～Rg分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯基或卤原子，

R₂是以下述通式(3)表示的基，

通式(3)中，R₂₁及R₂₂分别独立地表示氢原子或甲基，R₂₃～R₂₇分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯基或卤原子，另外，波浪线的位置表示结合位置。)

[化3]

[化4]