[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

2.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在所述半导体金属混合层中存在这样的区域，其半导体金属浓度为基于所有金属的20原子％或更高。

3.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离所述半导体金属混合层的半导体/透明导电膜界面小于3nm的范围内存在这样的区域，其半导体金属浓度为基于所有金属的40原子％或更高。

4.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离所述半导体金属混合层的半导体/透明导电膜界面大于等于3nm的范围内的所述半导体金属浓度为基于所有金属的15原子％或更低。

5.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜在室温下形成，并且在所述透明导电膜形成之后，在300至700℃下被热处理。

6.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜包括透明导电膜接触层和透明导电膜电流扩散层，并且所述透明导电膜接触层与所述p型半导体层接触。

7.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中通过RF溅射方法形成所述透明导电膜接触层。

8.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中通过DC溅射方法形成所述透明导电膜电流扩散层。

9.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜接触层的厚度为1至5nm。

10.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜电流扩散层的厚度为150至500nm。

11.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在所述p型半导体层中存在包含所述透明导电膜的金属成分的正电极金属混合层。

12.根据权利要求11的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述正电极金属混合层的厚度为0.1至5nm。

13.根据权利要求11的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述正电极金属混合层中的所述透明导电膜金属成分的浓度为基于在所述正电极金属混合层中的所有金属的0.1至20原子％。

14.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜包括选自In、Sn、Zn、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir和Pt的至少一种金属的氧化物。

15.根据权利要求14的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明导电膜包括选自In、Sn、Zn、Al、Cu、Ag、Ga、Ge、W、Mo和Cr的至少一种金属的氧化物。

16.一种灯，包括根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件。

17.一种电子装置，包括根据权利要求16的灯。

18.一种机器，包括根据权利要求17的电子装置。