[发明专利]金属基极纳米线晶体管无效

专利信息
申请号: 200680042885.5 申请日: 2006-10-29
公开(公告)号: CN101310389A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 普拉巴特·阿加瓦尔;戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L29/76 分类号: H01L29/76;H01L29/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 金属 基极 纳米 晶体管
【权利要求书】:

1.一种晶体管,包括:第一和第二电极(2,6),以及用于控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(3),其中第一电极(2)由半导体材料制成,其中基极电极是沉积在形成第一电极的半导体材料之上的金属层,其特征在于,第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。

2.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)生长在基极电极(3)上。

3.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,基极电极(3)由过渡金属硅化物制成。

4.如权利要求3所述的晶体管,其特征在于,从钴和镍组成的组中选择所述过渡金属。

5.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)由硅和/或锗制成。

6.如权利要求5所述的晶体管,其特征在于,所述纳米线由半导体异质结构组成。

7.如权利要求6所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)异质结构的成分在纳米线(6)的径向上改变。

8.如权利要求6所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)异质结构的成分在纳米线(6)的轴线方向上改变。

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