[发明专利]金属基极纳米线晶体管无效
申请号: | 200680042885.5 | 申请日: | 2006-10-29 |
公开(公告)号: | CN101310389A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 普拉巴特·阿加瓦尔;戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/76 | 分类号: | H01L29/76;H01L29/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 基极 纳米 晶体管 | ||
1.一种晶体管,包括:第一和第二电极(2,6),以及用于控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(3),其中第一电极(2)由半导体材料制成,其中基极电极是沉积在形成第一电极的半导体材料之上的金属层,其特征在于,第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
2.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)生长在基极电极(3)上。
3.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,基极电极(3)由过渡金属硅化物制成。
4.如权利要求3所述的晶体管,其特征在于,从钴和镍组成的组中选择所述过渡金属。
5.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)由硅和/或锗制成。
6.如权利要求5所述的晶体管,其特征在于,所述纳米线由半导体异质结构组成。
7.如权利要求6所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)异质结构的成分在纳米线(6)的径向上改变。
8.如权利要求6所述的晶体管,其特征在于,纳米线(6)异质结构的成分在纳米线(6)的轴线方向上改变。
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