[发明专利]半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200680042994.7 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101312912A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体薄膜，其由含有氧化锌和氧化锡的非晶质膜构成，其特征在于，
所述半导体薄膜是电阻率为102～106Ωcm、载流子密度为10+17cm-3以下、霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上、能带间隙为2.4eV以上的非退化半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜，其特征在于，
所述非晶质膜中的锌[Zn]与锡[Sn]的原子比为Zn/(Zn+Sn)＝0.40～0.95。
3.根据权利要求1或2所述的半导体薄膜，其特征在于，
波长550nm下的透射率为75％以上。
4.根据权利要求1或2所述的半导体薄膜，其特征在于，
功函数为3.5～6.5eV。
5.一种薄膜晶体管，其特征在于，
具有：权利要求1或2所述的半导体薄膜。
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