[发明专利]用于寻址具有基于铁电薄膜晶体管的像素的有源矩阵显示器的方法无效

专利信息
申请号: 200680043044.6 申请日: 2006-11-03
公开(公告)号: CN101379541A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: H·E·A·休特马;G·H·格林克 申请(专利权)人: 聚合物视象有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;魏军
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 寻址 具有 基于 薄膜晶体管 像素 有源 矩阵 显示器 方法
【权利要求书】:

1.一种显示器(20),包括:

行驱动器(30);

列驱动器(40);

像素(P),包括

铁电薄膜晶体管(60)形式的存储元件,其可操作耦合到行驱动器(30)和列驱动器(40),和

可操作耦合到该铁电薄膜晶体管(60)的显示元件(62);

其中行驱动器(30)和列驱动器(40)可操作用于在像素(P)的寻址周期的开始阶段、中间阶段和结束阶段期间向铁电薄膜晶体管(60)施加不同的驱动电压;

其中铁电薄膜晶体管(60)可操作用于在像素(P)的寻址周期的开始阶段期间响应于由行驱动器(30)和列驱动器(40)向该铁电薄膜晶体管(60)施加的传导行驱动电压和传导列驱动电压而被设置到传导状态;

其中铁电薄膜晶体管(60)还可以操作用于在像素(P)的寻址周期的中间阶段期间响应于由行驱动器(30)和列驱动器(40)施加到该铁电薄膜晶体管(60)的充电行驱动电压和充电列驱动电压而促进显示元件(62)的充电;和

其中铁电薄膜晶体管(60)还可以操作用于在像素(P)的寻址周期的结束阶段响应于由行驱动器(30)和列驱动器(40)施加到该铁电薄膜晶体管(60)的非传导行驱动电压和非传导列驱动电压而被重置到非传导状态。

2.根据权利要求1所述的显示器(20),其中行驱动器(30)在像素(P)的寻址周期的开始阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)施加传导行驱动电压。

3.根据权利要求1所述的显示器(20),其中行驱动器(30)在像素(P)的寻址周期的中间阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)施加充电行驱动电压。

4.根据权利要求1所述的显示器(20),其中行驱动器(30)在像素(P)的寻址周期的结束阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的栅电极(G)施加非传导行驱动电压。

5.根据权利要求1所述的显示器(20),其中列驱动器(40)在像素(P)的寻址周期的开始阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)施加传导列驱动电压。

6.根据权利要求1所述的显示器(20),其中列驱动器(40)在像素(P)的寻址周期的中间阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)施加充电列驱动电压。

7.根据权利要求1所述的显示器(20),其中列驱动器(40)在像素(P)的寻址周期的结束阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)进行电通信以便促进向铁电薄膜晶体管(60)的源电极(S)施加非传导列驱动电压。

8.根据权利要求1所述的显示器(20),其中显示元件(62)在像素(P)的寻址周期的中间阶段期间与铁电薄膜晶体管(60)的漏电极(D)进行电通信,以便响应于由行驱动器(30)和列驱动器(40)向铁电薄膜晶体管(60)施加的充电行驱动电压和充电列驱动电压而促进显示元件(62)的充电。

9.根据权利要求1所述的显示器(20),其中所述显示元件(62)是电泳显示元件(62)。

10.根据权利要求1所述的显示器(20),其中所述显示元件(62)是液晶显示元件(62)。

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