[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件

权利要求书

1.一种制造具有衬底(11)和半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有包括具有发射极区(1)、基区(2)和集电极区(3)的至少一个双极晶体管，其中在半导体本体(12)中形成第一半导体区(13)以形成集电极区和发射极区(1、3)中的一个，以及在半导体本体(12)的表面上形成包括第一绝缘层(4)、多晶半导体层(5)和第二绝缘层(6)的叠层，在所述叠层中形成开口(7)，然后通过非选择性外延生长沉积另一半导体层(22)，其中所述开口(7)底部上的单晶水平部分形成基区(2)以及开口(7)侧面上的多晶垂直部分(2A)与多晶半导体层(5)相连，然后与开口(7)侧面平行地形成间隔区(S)以及在所述间隔区(S)之间形成第二半导体区(31)以形成发射极区和集电极区(1、3)中的另一个(1)，其中在沉积所述另一半导体层(22)之前，向所述第二绝缘层(6)提供端部(6A)，从投影看所述端部悬挂在多晶半导体层(5)的端部(5A)之上。

2.根据权利要求1中所述的方法，其中在开口(7)形成之后，通过去除多晶半导体层(5)的端部(5A)的一部分，向第二绝缘层(6)提供悬挂端部(6A)。

3.根据权利要求1或2中所述的方法，其中选择悬挂部分(6A)的侧向尺寸以及所述另一半导体层(22)的厚度，使得在第二绝缘层(6)的悬挂部分(6A)下面形成所述另一半导体层(22)的垂直部分(2A)。

4.根据权利要求3中所述的方法，其中在悬挂部分(6A)下面形成至少一部分间隔区(S)。

5.根据权利要求1中所述的方法，其中在所述另一半导体层(22)沉积之后，沉积牺牲层(20)以便覆盖所述另一半导体层(22)以及完全填充开口(7)，然后通过平面化去除牺牲层(20)的上部，然后通过刻蚀去除所述另一半导体层(22)的残留水平多晶部分(2B)以及随后通过刻蚀去除牺牲层(20)。

6.根据权利要求5中所述的方法，其中通过生长又一半导体层(111)形成发射极区和集电极区(1、3)中的所述另一个(1)，所述又一半导体层(111)通过光刻和刻蚀进行构图。

7.根据权利要求1中所述的方法，其中悬挂部分(6A)下的区域由所述另一半导体层(22)的垂直多晶部分(2A)侧向填充，随后通过相对于单晶材料选择性地刻蚀多晶材料的蚀刻剂部分地回蚀所述垂直部分(2A)，因此再次形成了第二绝缘层(6)的端部，所述端部在投影中悬挂在多晶半导体层(5)的端部(5A)之上。

8.根据权利要求7中所述的方法，其中就在所述另一半导体层(22)的非选择性外延生长之后，通过非选择性外延生长沉积又一半导体层(111)，所述又一半导体层具有水平单晶部分(1)用于形成发射极区和集电极区(1、3)中的所述另一个以及残留多晶部分(111B、111C)。

9.根据权利要求8中所述的方法，其中通过与用于回蚀所述另一半导体层(22)的垂直多晶部分(2A)相同的选择性蚀刻步骤来去除所述又一半导体层(111)的剩余多晶部分(111B、111C)。

10.根据权利要求1所述的方法，其中选择硅作为除所述另一半导体层(22)以外的不同半导体区域和层的材料，并且将硅和锗的混晶用于所述另一半导体层(22)。

11.一种半导体器件(10)，其包括：

衬底(11)；

半导体本体(12)，其配置有包括具有发射极区(1)、基区(2)和集电极区(3)的至少一个双极晶体管；

形成在半导体本体(12)中的第一半导体区(13)，其形成了集电极区和发射极区(1、3)中的一个(3)；

形成在半导体本体(12)的表面上的叠层，所述叠层包括：

第一绝缘层(4)；

多晶半导体层(5)；和

第二绝缘层(6)；

形成在所述叠层中的开口(7)；

在开口(7)中提供的另一半导体层(22)，所述另一半导体层(22)包括：

在所述开口(7)底部上的单晶水平部分，其形成基区(2)；

和

在所述开口(7)侧面上的多晶垂直部分(2A)，其与多晶半导体层(5)相连；

与开口(7)侧面平行地形成的间隔区(S)；以及

形成在所述间隔区(S)之间的第二半导体区(31)，其中所述第二半导体区(31)形成发射极区和集电极区(1、3)中的另一个(1)，

其中，在叠层中的第二绝缘层(6)包括端部(6A)，从投影看所述端部(6A)悬挂在多晶半导体层(5)的端部(5A)之上。