[发明专利]光反射用材料、发光元件收纳用封装体、发光装置及发光元件收纳用封装体的制造方法

权利要求书

1.光反射用材料，其特征在于，含有74.6质量％以上的烧结后平均粒径为2.5μm以下的氧化铝，

其中所述光反射用材料含有0.698质量％～22.4质量％的钡元素。

2.发光元件收纳用封装体，其特征在于，具有由陶瓷构成的基板、以及在所述基板上面形成的框体，所述框体由含有74.6质量％以上的烧结后平均粒径为2.5μm以下的氧化铝和0.698质量％～22.4质量％的钡元素的光反射材料构成。

3.根据权利要求2所述的发光元件收纳用封装体，其特征在于，所述基板具有导体装载部，并在导体装载部的上面装载发光元件。

4.发光装置，其特征在于，具有基板、框体、以及发光元件，

所述基板由陶瓷构成，且具有导体装载部，在导体装载部的上面装载发光元件，

所述框体以包围所述导体装载部的方式而形成在所述基板的上面，由含有74.6质量％以上的烧结后平均粒径为2.5μm以下的氧化铝和0.698质量％～22.4质量％的钡元素的光反射材料构成，

所述发光元件装载于所述基板的所述导体装载部。

5.发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，在制造具有由陶瓷构成的基板、在所述基板的上面形成的框体的发光元件收纳用封装体时，包含下述工序：

生成含有氧化铝粒子的原料粉末的工序；

将所述原料粉末成型，制备框体形状物的工序；

煅烧所述框体形状物，得到含有74.6质量％以上的平均粒径为2.5μm以下的氧化铝和0.698质量％～22.4质量％的钡元素的所述框体的工序。

6.根据权利要求5所述的发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，在得到所述框体的工序中的煅烧温度为1350～1650℃。

7.根据权利要求5所述的发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，所述原料粉末含有碳酸钡。

8.根据权利要求7所述的发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，在得到所述框体的工序中的煅烧温度为1350～1650℃。

9.根据权利要求5～8中任一项所述的发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，在制备所述框体形状物的工序中，通过在模具中加入所述原料粉末并施加压力，从而制备所述框体形状物。

10.根据权利要求5～8中任一项所述的发光元件收纳用封装体的制造方法，其特征在于，在制备所述框体形状物的工序中，通过由所述原料粉末制备原料片，以规定的形状冲裁该原料片，从而制备所述框体形状物。