[发明专利]等离子显示屏驱动装置及等离子显示器无效

专利信息
申请号: 200680043795.8 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN101313347A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 井上学 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G09G3/288 分类号: G09G3/288;G09G3/20;G09G3/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 显示屏 驱动 装置 显示器
【权利要求书】:

1、一种PDP驱动装置,是具有维持电极、扫描电极和地址电极的等离子显示屏的驱动装置,

包含多个开关元件,所述多个开关元件中的至少一个,是双向开关元件;

所述双向开关元件,是接通时至少可以使一个方向的电流导通、而断开时则不使双向的电流导通的元件。

2、如权利要求1所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述多个开关元件,包含被电性串联连接的高端开关元件和低端开关元件;

从所述高端开关元件与所述低端开关元件的连接点,向所述等离子显示屏的扫描电极、维持电极及地址电极中的至少某个电极,外加规定的脉冲电压;

所述高端开关元件和所述低端开关元件中的至少一方,是双向开关元件。

3、如权利要求2所述的PDP驱动装置,其特征在于:进而具备:

电感器,该电感器与所述连接点连接;和

回收开关元件,该回收开关元件在接通期间,形成使由所述电感器和所述等离子显示屏产生的共振电流流过的路径,

该回收开关元件,是双向开关元件。

4、如权利要求1所述的PDP驱动装置,其特征在于:在所述双向开关元件中,至少包含JFET、MESFET、反向导通阻止IGBT及双向横型MOSFET中的某一个。

5、如权利要求1所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述双向开关元件,由带隙比硅大的宽带隙半导体形成。

6、如权利要求5所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述宽带隙半导体,包含碳化硅、金刚石、氮化镓、氧化钼及氧化锌中的至少某一个。

7、如权利要求1所述的PDP驱动装置,其特征在于:进而包含与所述双向开关元件并联连接的再生电路,所述再生电路包含二极管和开关元件的串联电路。

8、如权利要求2所述的PDP驱动装置,其特征在于,进而包含:

电感器,该电感器与所述连接点连接;

回收开关元件;该回收开关元件在接通期间,形成使由所述电感器和所述等离子显示屏产生的共振电流流过的路径;和

钳位电路,该钳位电路对所述电感器与所述回收开关元件之间的电位进行钳位。

9、如权利要求8所述的PDP驱动装置,其特征在于:进而包含与所述双向开关元件并联连接的再生电路,所述再生电路包含二极管和开关元件的串联电路;

所述钳位电路,由二极管和所述再生电路中包含的开关元件构成。

10、如权利要求1所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述多个开关元件,包含被电性串联连接的高端开关元件和低端开关元件;

从所述高端开关元件与所述低端开关元件的连接点,向所述等离子显示屏的扫描电极、维持电极及地址电极中的至少某个电极,外加规定的脉冲电压;

在所述连接点与所述等离子显示屏之间,设置分离开关元件,该分离开关元件是双向开关元件。

11、如权利要求10所述的PDP驱动装置,其特征在于:进而具备:

电感器,该电感器与所述连接点连接;和

回收开关元件,该回收开关元件在接通期间,形成使由所述电感器和所述等离子显示屏产生的共振电流流过的路径,

该回收开关元件,是双向开关元件。

12、如权利要求10所述的PDP驱动装置,其特征在于:在所述双向开关元件中,至少包含JFET、MESFET、反向导通阻止IGBT及双向横型MOSFET中的某一个。

13、如权利要求10所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述双向开关元件,是由带隙比硅大的宽带隙半导体形成。

14、如权利要求13所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述宽带隙半导体,包含碳化硅、金刚石、氮化镓、氧化钼及氧化锌中的至少某一个。

15、如权利要求10所述的PDP驱动装置,其特征在于:与所述分离开关元件并联连接有保护电路。

16、如权利要求15所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述保护电路,是恒电压电路。

17、如权利要求15所述的PDP驱动装置,其特征在于:所述保护电路,包含开关元件。

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