[发明专利]共振纳米结构及其使用方法

权利要求书

1.一种共振纳米结构，其包含至少一个纳米级囊泡，所述囊泡在至 少一个维度上的尺寸为约1纳米至约1000纳米，所述纳米级囊泡具有 共振特性，并能够对外部刺激产生共振响应。

2.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级囊泡的性质为晶 体。

3.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级囊泡没有腔。

4.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级囊泡包含腔，所述 腔构建成允许在其中运送有效载荷或其它共振结构。

5.权利要求4的共振纳米结构，其中所述纳米级囊泡构建为定时释 放有效载荷。

6.权利要求4的共振纳米结构，其中所述共振响应包括机械破裂， 所述机械破裂导致所述有效载荷的释放或暴露。

7.权利要求4的共振纳米结构，其中所述共振响应包括传递被有效 载荷吸收的能量，所述有效载荷是非活性化合物，从而所述非活性有效 载荷对能量的吸收造成该非活性有效载荷转化成活性有效载荷。

8.权利要求1的共振纳米结构，其中所述共振响应发生在所述刺激 后一皮秒至一小时或更长的时间内。

9.权利要求1的共振纳米结构，其中所述响应受到以下之一的控 制：所述刺激的时程、所述刺激的强度、局部环境、所述纳米级结构的 共振势或者其组合。

10.权利要求1的共振纳米结构，其中所述共振响应包括机械破裂。

11.权利要求1的共振纳米结构，其中所述共振响应包括保持完好。

12.权利要求1的共振纳米结构，其中所述外部刺激包括电磁刺激 或声刺激之一。

13.权利要求1的共振纳米结构，其还包含附着在所述纳米级囊泡 上以靶向其它化合物的化合物。

14.权利要求1的共振纳米结构，其还包含破裂区，所述破裂区可 决定破裂响应的程度或力或其组合。

15.权利要求1的共振纳米结构，其还包含可影响所述响应的谐波 区，这样的影响包括下列之一：增强所述共振响应、调谐所述共振响应 或者其组合。

16.权利要求1的共振纳米结构，其还包含带电区。

17.权利要求1的共振纳米结构，其还包含下列之一：疏水区、亲 水区、两性区或者其组合。

18.权利要求1的共振纳米结构，其还包含围绕所述纳米级结构的 覆层，所述覆层可吸引下列之一：细胞、化合物、另一共振结构或者其 组合。

19.权利要求1的共振纳米结构，其还包含围绕所述纳米级结构的 覆层，所述覆层可将其下部结构与环境屏蔽。

20.权利要求1的共振纳米结构，其还包含围绕所述纳米级结构的 覆层，所述覆层可响应于下列之一而发生共振：电磁刺激、声刺激或者 其组合。

21.权利要求1的共振纳米结构，其还包含围绕所述纳米级结构的 覆层，所述覆层可响应于下列之一而发生破裂：电磁刺激、声刺激或者 其组合。

22.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级结构可构建为附 着于细胞表面、掺入细胞内以识别其中的分子或生物结构，或者其组合。

23.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级结构可构建为使 化合物、细胞器或其它结构滞留。

24.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级结构可构建为将 附着的化学性亚化合物组装成化合物。

25.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级结构可构建为附 着于细胞膜并将有效载荷递送至所述细胞。

26.权利要求1的共振纳米结构，其中所述纳米级结构包含能够通 过电磁力吸引下列之一的磁极化区：结构、化合物或者其组合。