[发明专利]硅衍生物、包含该硅衍生物的液晶组合物以及使用该液晶组合物的补偿膜

权利要求书

1.一种由下面通式1所示的硅衍生物：

[通式1]

其中，在通式1所示的化合物含有至少一个-Si-的情况下，

G¹为

W¹和W²各自独立地表示-H、-CH₃或-CH₂CH₃；

X¹为-O-或-(CH₂)_m-，且m为0～5的整数；

A¹为C₁～C₁₂亚烷基；

Y¹和Y²各自独立地表示-O-、-C(＝O)O-、-SiH₂-、-SiMe₂-、-SiEt₂-、-CH₂SiH₂-、 -CH₂SiMe₂-、-CH₂SiEt₂-、-SiH₂CH₂-、-SiMe₂CH₂-或-SiEt₂CH₂-；

为

为

E¹为

a为0；

b表示0～2的整数；

Q¹～Q⁴、R¹～R⁴和R⁶～R⁹各自表示-H；以及

R⁵为-SiMe₃、-SiEt₃、-H、-CN、-OCH₃或-OCH₂CH₃。

2.根据权利要求1所述的硅衍生物，其具有立体异构体，并且该立体异 构体以反式异构体：顺式异构体的比例为85∶15～100∶0存在。

3.一种液晶组合物，该液晶组合物包含由下面通式1所示的硅衍生物：

[通式1]

其中，G¹、X¹、A¹、Y¹、Y²、B环、C环、E¹、a、b和R⁵的定义与权利要 求1中的定义相同。

4.根据权利要求3所述的液晶组合物，其中，基于所述组合物的总重量， 所述液晶组合物中包含的硅衍生物以1～80wt％的量使用。

5.一种用于液晶显示器的补偿膜，其包含如权利要求1～2中任一项所述 的硅衍生物或如权利要求3或4所述的液晶组合物。

6.根据权利要求5所述的用于液晶显示器的补偿膜，其为A板型补偿膜、 B板型补偿膜、(+)C板型补偿膜或(-)C板型补偿膜。

7.一种制备由下面通式10所示的硅衍生物的方法，该方法通过下面反应 式1进行：

[反应式1]

其中，W2、Y1、Y2、E1、a、b和R1～R5的定义与权利要求1中的定义相 同，且n为0～10的整数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过下面反应式3制备由通式8所 示的化合物：

[反应式3]

其中，W²的定义与权利要求1中的定义相同，且n为0～10的整数。

9.一种制备由下面通式14所示的硅衍生物的方法，该方法通过下面反应 式4进行：

[反应式4]

其中，在通式14所示的化合物含有至少一个-Si-的情况下，G¹、E¹、a、b 和R¹～R⁵的定义与权利要求1中的定义相同，且n为0～10的整数。