[发明专利]基于纯有机材料的高迁移率高效率有机膜有效
申请号: | 200680043977.5 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101313424A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 隆达·F·萨尔兹曼;史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郇春艳;郭国清 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 有机 材料 迁移率 高效率 | ||
1.一种纯化有机小分子材料的方法,包括:
以有机小分子材料的第一样品开始,依次进行如下步骤:
(a)通过热梯度升华纯化有机小分子材料;
(b)通过光谱法检测得自被纯化的有机小分子材料的至少一个样品的纯度;并且
(c)如果光谱检测显示出任何峰超过目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率,那么对所述被纯化的小分子材料重复步骤(a)至(c),
其中所述阈百分率不超过10%,并且步骤(a)至(c)至少执行两次。
2.根据权利要求1所述的方法,其中根据所述有机小分子材料早先测试的样品的光谱设定阈百分率。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在没有峰保持超过所述目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率后,
(d)形成光敏性光电子装置,包含被布置在两个电极间的至少一个给体-受体界面,其中所述给体-受体界面的给体或受体包括得自所述第一样品的被纯化的有机小分子材料。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,形成包含至少一种肖特基-势垒异质结的光敏性光电子装置,所述肖特基-势垒异质结包括得自所述第一样品的被纯化的有机小分子材料作为所述异质结的光电导材料。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,基于步骤(a)至(c)的累积重复,确定纯化所述第一样品所需的热梯度升华的总量;
根据所述总量,通过热梯度升华纯化所述有机小分子材料的第二样品。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一样品和所述第二样品从同一来源获得。
7.根据权利要求5所述的方法,进一步包括,形成包含被布置在两个电极间的至少一个给体-受体界面的光敏性光电子装置,其中所述给体-受体界面的给体或受体包括得自所述第二样品的被纯化的有机小分子材料。
8.根据权利要求5所述的方法,进一步包括形成包含至少一种肖特基-势垒异质结的光敏性光电子装置,所述肖特基-势垒异质结包括得自所述第二样品的被纯化的有机小分子材料作为所述异质结的光电导材料。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在步骤(a)第一次发生之前,通过光谱法确定所述第一样品的初始光谱;
基于步骤(a)至(c)的累积重复,确定纯化所述第一样品所需的热梯度升华的总量;
使用与用于确定所述第一样品的初始光谱相同的测试方法,通过光谱法确定所述有机小分子材料的第二样品的初始光谱;并且
如果第二样品的初始光谱与第一样品的初始光谱基本上相匹配,根据所述总量,通过热梯度升华纯化所述有机小分子材料的第二样品。
10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括,形成包含布置在两个电极间的至少一个给体-受体界面的光敏性光电子装置,其中所述给体-受体界面的给体或受体包括得自所述第二样品的被纯化的有机小分子材料。
11.根据权利要求9所述的方法,进一步包括形成包含至少一种肖特基-势垒异质结的光敏性光电子装置,所述肖特基-势垒异质结包括得自所述第二样品的被纯化的有机小分子材料作为所述异质结的光电导材料。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述光谱是质谱。
13.根据权利要求12所述的方法,其中步骤(b)包括:
(b1)由所述被纯化的有机小分子材料的样品制造粉末;
(b2)对所述粉末进行质谱分析。
14.根据权利要求13所述的方法,其中质谱分析通过激光解吸电离飞行时间测量来进行。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述光谱是傅里叶变换红外光谱。
16.根据权利要求15所述的方法,其中步骤(b)包括:
(b1)将所述被纯化的有机小分子材料的样品沉积在基体上作为膜;
(b2)对所述膜进行傅里叶变换红外光谱。
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