[发明专利]用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备有效
申请号: | 200680044254.7 | 申请日: | 2006-11-08 |
公开(公告)号: | CN101317231A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | M·苏海尔 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 编程 擦除 非易失性存储器 方法 设备 | ||
1.一种用于编程/擦除非易失性存储器的方法,所述非易失性存 储器即NVM,该方法包括:
使用第一擦除电压发起NVM的至少一部分的擦除操作;
选择第一读电流/电压阈值;
确定NVM的所述至少一部分的第一实际读电流/电压;
比较第一实际读电流/电压与第一读电流/电压阈值;
如果第一实际读电流/电压低于第一读电流/电压阈值,这表明擦除 不成功,则执行以下步骤:
把至少一个擦除脉冲施加到NVM的所述至少一部分;
选择第二读电流/电压阈值;
确定NVM的所述至少一部分的第二实际读电流/电压;
比较第二实际读电流/电压与第二读电流/电压阈值;以及
如果第二实际读电流/电压不低于第二读电流/电压阈值,这表明擦 除成功,则完成擦除操作,
其中第一读电流/电压阈值与第二读电流/电压阈值是不同的。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述至少一个擦除脉冲包括第 一组多个第一擦除脉冲。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述第一组多个第一擦除脉冲 包括N个擦除脉冲,其中N由存储在NVM中的计数值确定。
4.如权利要求2所述的方法,其中所述第一组多个第一擦除脉冲 中的每一个具有第一电压。
5.如权利要求4所述的方法,还包括:
如果第二实际读电流/电压低于第二读电流/电压阈值,则执行以下 步骤:
把第二组多个第二擦除脉冲施加到NVM的所述至少一部分,
其中每个第二擦除脉冲具有第二电压,并且
其中第二电压不同于第一电压。
6.如权利要求5所述的方法,其中第二电压大于第一电压。
7.如权利要求5所述的方法,其中第二组多个第二擦除脉冲与第 一组多个第一擦除脉冲具有相同的数目。
8.如权利要求5所述的方法,其中如果第一组多个第一擦除脉冲 加上第二组多个第二擦除脉冲达到预定的最大总擦除脉冲数,并且如 果第二实际读电流/电压低于第二读电流/电压阈值,则NVM被认为已 发生故障。
9.如权利要求1所述的方法,其中第二读电流/电压阈值小于第 一读电流/电压阈值。
10.一种非易失性存储器,即NVM,包括:
NVM阵列;
用于生成多个读电流/电压阈值的装置;
用于在编程/擦除循环的第一部分期间选择多个读电流/电压阈值 中的第一读电流/电压阈值并用于在所述编程/擦除循环的第二部分期 间选择多个读电流/电压阈值中的第二读电流/电压阈值的装置;
用于在编程/擦除循环的第一部分期间比较第一实际读电流/电压 与多个读电流/电压阈值中的第一读电流/电压阈值并在所述编程/擦除 循环的第二部分期间比较第二实际读电流/电压与多个读电流/电压阈 值中的第二读电流/电压阈值的装置;以及
用于如果第一实际读电流/电压低于多个读电流/电压阈值中的第 一读电流/电压阈值则提供第一组多个第一擦除脉冲到NVM阵列并且 如果第二实际读电流/电压低于多个读电流/电压阈值中的第二读电流/ 电压阈值则提供第二组多个第二擦除脉冲到NVM阵列的装置,其中 第一实际读电流/电压低于所述多个读电流/电压阈值中的第一读电流/ 电压阈值且第二实际读电流/电压低于所述多个读电流/电压阈值中的 第二读电流/电压阈值表明擦除不成功。
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