[发明专利]光学信息记录介质及其记录再生方法、以及记录再生装置有效
申请号: | 200680044259.X | 申请日: | 2006-11-27 |
公开(公告)号: | CN101317224A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 北浦英树;土居由佳子;山田升 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 介质 及其 再生 方法 以及 装置 | ||
1.一种光学信息记录介质,在透明基板上具备依次包括记录层和电 介质层的至少一个信息层,
所述电介质层包含作为主成分的60分子%以上98分子%以下的Zn -O和作为副成分的从2分子%以上20分子%以下的Y-O和Cr-O中 选出的一种或者多种化合物。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述信息层在所述电介质层的与所述记录层相反一侧还具备反射层。
3.一种光学信息记录介质,在透明基板上具备依次包括一次写入式 的记录层电介质层和反射层的至少一个信息层,
所述电介质层包含作为主成分的60分子%以上98分子%以下的Zn -O和作为副成分的从2分子%以上20分子%以下的Y-O和Cr-O中 选出的一种或者多种化合物,
所述反射层包含:含有Ag的95原子%以上99.95原子%以下的主成 分;和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05 原子%以上5原子%以下的副成分。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光学信息记录介质,其特征在 于,
所述记录层包含从Te-O、Sb-O、Bi-O、Ge-O、Sn-O、Ga-O 和In-O中选出的一种或者多种氧化物母材。
5.一种光学信息记录介质,
在透明基板上依次具备记录层、电介质层和反射层,其中所述记录层 包含从Te-O、Sb-O、Bi-O、Ge-O、Sn-O、Ga-O和In-O中选出 的一种或者多种氧化物母材,
所述电介质层包含作为主成分的60分子%以上98分子%以下的Zn -O和作为副成分的从2分子%以上20分子%以下的Y-O和Cr-O中 选出的一种或者多种化合物,
所述反射层包含:含有Ag的95原子%以上99.95原子%以下的主成 分;和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05 原子%以上5原子%以下的副成分。
6.根据权利要求4所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述记录层还包含从Te、Sb、Bi、Ge、Sn、Ga、In、Pd、Au、Pt、 Ni、Ag和Cu中选出的一种或者多种元素。
7.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述记录层包含Te-O-M,其中,M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、 Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、 Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选出的一种或者多种元 素。
8.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述电介质层还包含从2分子%以上40分子%以下的Al-O、Ga- O、In-O、Bi-O和Sb-O中选出的一种或者多种化合物。
9.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述反射层包含95原子%以上的Ag。
10.根据权利要求9所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述反射层包含:含有Ag的95原子%以上99.95原子%以下的主成 分;和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05 原子%以上5原子%以下的副成分。
11.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述信息层在所述记录层的与所述电介质层相反一侧还具有保护层。
12.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
在所述信息层的与所述透明基板相反一侧还具备保护基板。
13.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,
所述信息层具有沟槽,
所述沟槽间距是1μm以下。
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