[发明专利]基于引线框架中的精密间距布线的系统封装(SIP)器件有效

专利信息
申请号: 200680044297.5 申请日: 2006-09-28
公开(公告)号: CN101317267A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 迪尔克·彼得斯 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 基于 引线 框架 中的 精密 间距 布线 系统 封装 sip 器件
【权利要求书】:

1.一种封装基板(200),其用以安装集成电路(IC)器件,该封装基板包括:

IC器件放置区域(290),其被焊盘连接端(215)环绕;

多个元件焊盘(235),其用以将表面安装器件(240)放置在焊盘连接端(215)附近,多个元件焊盘环绕焊盘连接端(215)以及

多个器件管脚(225,245),其环绕元件焊盘,多个器件管脚(225,245)中的一个或多个具有精密间距导电通路(270),这些导电通路将多个器件管脚中的一个或多个耦接至一组对应的焊盘连接端或一组对应的元件焊盘,精密间距导电通路穿过多个元件焊盘之间的区域。

2.根据权利要求1所述的封装基板,其中,所述基板包括一个或多个额外的导电层和一个或多个绝缘层。

3.根据权利要求2所述的封装基板,其中,通过限定在一个或多个额外的导电层中的其他的导电通路,将额外的多个器件管脚耦接至对应的额外一组焊盘连接端。

4.根据权利要求1所述的封装基板,其中,所述表面安装器件(240)包括从下列选择出的至少一个:表面安装电容、表面安装电阻、表面安装电感、集成电路芯片、振荡器。

5.根据权利要求1所述的封装基板,其中,在累计线宽和间距方面,将所述精密间距导电通路布置为小于80μm。

6.根据权利要求1所述的封装基板,其中,在累计线宽和间距方面,将所述精密间距导电通路布置在80μm到150μm的范围内。

7.一种半导体器件(200),其包括:

具有开口的底面层;

载体,具有与第二侧面相对的第一侧面,其中,第一侧面包括导电层(1,2,3),所述导电层具有预定图案,所述预定图案限定了多个相互隔离的连接导体(225,245),以及其中,第二侧面与底面层接触,并包括与用以放置在基板上的连接导体对应的接触表面(280),其中,底面层中的开口允许到连接导体的连接(280);所述载体包括在第一和第二侧面之间限定的腔,所述腔具有裸片焊盘区域,所述载体还包括元件焊盘区域(235),所述元件焊盘区域规定了表面安装器件(240)在载体上的布局,元件焊盘区域耦接至选择的具有精密间距导电通路的连接导体;

集成电路(IC)器件(205),包括裸片区域,所述裸片区域位于腔中并附着在底面层的裸片焊盘区域(290),还包括键合焊盘,所述键合焊盘被引线键合至连接导体;以及

钝化封壳(260),其密封了IC器件(205)并延伸至载体,其中,钝化封壳是机械锚定到连接导体(225,245)中的侧面中的。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述侧面具有凹槽,所述凹槽(295)提供了到钝化封壳的附接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述凹槽是凹形或刻槽。

10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述导电层包括第一导电层(1)、第二导电层(2)和第三导电层(3),第二导电层包括一种可以在一种蚀刻剂中被蚀刻的材料,这种蚀刻剂对第一导电层和第三导电层基本上没有影响,该蚀刻剂限定了在连接导体侧面中的凹槽。

11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中,在第一导电层(1)中限定了精密间距导电通路。

12.根据权利要求10所述的半导体器件,其中,在第三导电层(3)中限定了精密间距导电通路(270)。

13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中,用阻焊剂(275)保护精密间距导电通路(270)。

14.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述元件焊盘区域环绕所述裸片焊盘区域。

15.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述表面安装器件包括从下列选择出的至少一个:表面安装电容、表面安装电阻、表面安装电感、集成电路芯片、振荡器。

16.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,所述表面安装器件是双端器件。

17.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,在累计线宽和间距方面,将所述精密间距导电通路布置为小于80μm。

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