[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族半导体器件的电介质界面

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

生长III-V族化合物的第一区域；

在所述第一区域上生长AlInSb限制区域；

在所述AlInSb限制区域上形成硫族化物区域；

在所述硫族化物区域上形成电介质区域，其中所述硫族化物区域 包括在所述限制区域和所述电介质区域之间的其中n大于1的[O]_n桥、 二硫桥或者二硒桥；以及

在所述电介质区域上形成金属栅。

2.如权利要求1所述的方法，包括：在形成所述硫族化物区域之 前，从所述限制区域去除天然氧化物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一区域包括InSb或InP。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述电介质区域包括高k电介 质。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述高k电介质包括HfO₂。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质区域包括高k电介 质。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述高k电介质包括HfO₂。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成InSb阱；

在所述InSb阱上形成AlInSb限制区域；

从所述AIInSb限制区域的表面去除天然氧化物；

在所述AlInSb限制区域的表面上形成硫族化物区域；以及

在所述硫族化物区域上形成Al₂O₃层，其中所述硫族化物区域包 括在所述限制区域和所述Al₂O₃层之间的其中n大于1的[O]_n桥、二硫 桥或者二硒桥。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述Al₂O₃包括：使用三 甲基铝和水前体的原子层淀积(ALD)过程。

10.如权利要求8所述的方法，其中去除所述天然氧化物包括： 用酸处理所述AlInSb限制区域的表面。

11.如权利要求8所述的方法，其中形成所述AlInSb限制区域包 括：形成Si或Te的供体区域。

12.一种半导体器件，包括：

InSb区域；

AlInSb区域，设置在所述InSb区域上；

硫族化物区域，设置在所述AlInSb区域上；

Al₂O₃区域，设置在所述硫族化物区域上，其中所述硫族化物区域 包括在所述AlInSb区域和所述Al₂O₃区域之间的其中n大于1的[O]_n桥、二硫桥或者二硒桥；以及

Al栅极，设置在所述Al₂O₃区域上。

13.如权利要求12所述的器件，其中所述InSb区域是由AlInSb 区域所限制的量子阱。

14.如权利要求13所述的器件，其中所述Al₂O₃是厚度小于的层。

15.如权利要求13所述的器件，其中所述AlInSb区域包括用Si 或Te掺杂的区域。

16.如权利要求15所述的器件，包括：源极和漏极触点，设置在 所述Al栅极的对侧上。

17.如权利要求16所述的器件，其中所述Al栅极凹入所述AlInSb 区域，以便提供增强型晶体管。