[发明专利]制造具有高对比率的反射空间光调制器的方法

权利要求书

1.一种用于制造反射像素的方法，该方法包括：

提供硅层，所述硅层上方带有导电层，并且由下方的柱支撑在CMOS衬底上；

在所述导电层上方形成第一光刻胶掩膜并对所述第一光刻胶掩膜进行图案化；

在所述第一光刻胶掩膜图案化所得的间隙中刻蚀穿所述导电层和所述硅层，以限定与所述硅层中的可动铰链部分相邻的开口；

剥离所述第一光刻胶掩膜；

在由所述导电层上形成第二光刻胶掩膜，并在所述第二光刻胶掩膜上以及由所述第二光刻胶掩膜所限定的过孔中沉积反射材料；

在所述反射材料上形成第三光刻胶掩膜，并将所述第三光刻胶掩膜图案化，以暴露像素间区域；

刻蚀所述像素间区域中的所述反射材料和所述硅层以限定离散的像素；以及

在同一步骤中去除所述第二光刻胶掩膜和所述第三光刻胶掩膜留下所述反射材料，所述反射材料被所述过孔的此前位置处的凸出物支撑在所述导电层和铰链之上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述CMOS衬底还包括所述像素间区域中的凸起的壁，所述方法还包括在刻蚀像素间区域中的所述反射材料和所述硅层的步骤期间刻蚀所述凸起的壁。

3.如权利要求1所述的方法，其中，提供所述硅层包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，然后去除所述绝缘体上硅衬底的绝缘体材料和背侧硅以产生所述硅层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，沉积所述反射材料包括沉积铝。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在所述反射材料与所述硅层之间形成所述导电层的粘附成分。

6.一种用于制造反射像素的方法，该方法包括： 

提供硅层，所述硅层由下层方的柱支撑在CMOS衬底上；

在所述硅层上形成电介质层；

在所述电介质层上方形成第一光刻胶掩膜并对所述第一光刻胶掩膜进行图案化；

在所述第一光刻胶掩膜图案化所得的间隙中刻蚀穿所述电介质层和所述硅层，以限定与所述硅层中的可动铰链部分相邻的开口；

将所述第一光刻胶掩膜剥离并替换为第二光刻胶掩膜，所述第二光刻胶掩膜穿入所述开口并被图案化为使之不存在于所述可动铰链部分之上；

去除所述可动铰链部分上的所述电介质层；

将所述第二光刻胶掩膜剥离并替换为第三光刻胶掩膜；

使所述开口、所述导电层和所述电介质层的深度内的所述第三光刻胶掩膜保留，而去除所述第三光刻胶掩膜的上面部分；

在所述电介质层和所保留的所述第三光刻胶掩膜上沉积反射材料；

在所述反射材料上形成第四光刻胶掩膜，并将所述第四光刻胶掩膜图案化，以暴露像素间区域；

刻蚀所述像素间区域中的所述反射材料、所述电介质层和所述硅层，以限定离散的像素；以及

去除第三光刻胶掩膜和所述第四光刻胶掩膜以留下所述反射材料，所述反射材料与所述可动铰链间隔开。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述CMOS衬底还包括所述像素间区域中的凸起的壁，所述方法还包括在刻蚀像素间区域中的所述反射材料和所述硅层的步骤期间刻蚀所述凸起的壁。

8.如权利要求6所述的方法，其中，提供所述硅层包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，然后去除所述绝缘体上硅衬底的绝缘体材料和背侧硅以产生所述硅层。

9.如权利要求6所述的方法，其中，沉积所述反射材料包括沉积铝。

10.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述电介质层包括沉积氧化硅。

11.如权利要求6所述的方法，还包括在所述反射材料与所述硅层之 间形成导电层。

12.一种反射结构，其包括柱之上的可动堆叠物和具有电极的下层CMOS衬底，所述可动堆叠物包括限定可动铰链部分的硅层和被支撑在所述可动铰链上的反射表面，其中，所述反射表面覆盖在所述柱和所述可动铰链结构上，使得所述柱和所述铰链结构对于入射光而言隐藏起来。

13.如权利要求12所述的反射结构，其中，所述反射表面被所述反射表面的一体的向下凸起物支撑在所述可动铰链上。