[发明专利]用于光发射的半导体器件的制作

权利要求书

1.一种用于光发射的半导体器件，包括：

多个外延层，包括用于光生成的有源层、用于光传输的n型层和用于光反射的p型层；

其上具有用于导电金属外部层的至少一个种子层的所述p型层；

至少一个种子层，其包括用于提供对所述外部层和所述光反射层的不同热膨胀的缓冲的材料。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个种子层还包括扩散阻挡，所述扩散阻挡用于提供对施加到所述扩散阻挡的层扩散到所述p型层、所述有源层和所述n型层中的至少一个的扩散的阻挡。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述n型层包括n型金属阵列。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述外部层和所述n型金属阵列包括所述半导体器件的端子。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述外部层相对较厚，并且用作选自用于所述半导体器件的如下的至少之一：结构支撑、热沉、散热器、电流发散器和作为端子。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述阵列包括中心部分、外部部分以及连接所述中心部分和所述外部部分的接合部分；所述外部部分和所述接合部分用于电流发散。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是氮化镓半导体器件。

8.一种用于光发射的半导体器件，包括：

多个外延层，包括用于光生成的有源层、用于光传输的n型层和用于光反射的p型层；

其上具有用于导电金属外部层的至少一个种子层的所述p型层；

至少一个种子层，所述至少一个种子层包括扩散阻挡，所述扩散阻挡用于提供对施加到所述扩散阻挡的层扩散到所述p型层、所述有源层和所述n型层中的至少一个的扩散的阻挡。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述至少一个种子层还包括用于提供对所述外部层和所述光反射层的不同热膨胀的缓冲的材料。

10.如权利要求1、2、8和9中的任意一项所述的半导体器件，其中所述至少一个种子层包括多个种子层，所述多个种子层包括具有第一热膨胀系数的反射性材料的第一种子层和具有第二热膨胀系数的第二材料的第二种子层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述外部层是由所述第二材料制成的。

13.包括多个外延层的用于光发射的半导体器件，所述多个外延层包括：

p型层；

所述p型层上的至少一个反射层；

所述至少一个反射层上的外部导电材料层；

n型层；以及

所述n型层上的n型金属；

所述n型层和所述p型层之间的有源层；以及

多个种子层，所述多个种子层包括扩散阻挡，所述扩散阻挡用于提供对施加到所述扩散阻挡的层扩散到所述p型层、所述有源层和所述n型层中的至少一个的扩散的阻挡，

所述n型金属以阵列形式布置在所述n型层的中心处以最小化其对光输出的影响；所述n型金属和所述外部层是所述半导体器件的端子。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述多个种子层包括具有第一热膨胀系数的反射性材料的第一种子层和具有第二热膨胀系数的第二材料的第二种子层；所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中在所述第一种子层和所述第二种子层之间存在具有中间热膨胀系数的至少一种中间材料的至少一个中间种子层，所述中间热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数并且小于所述第二热膨胀系数。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述外部层是由所述第二材料制成的。

17.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述反射性材料、所述第二材料和所述中间材料都是不同的。

18.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述中间材料是用于防止所述第二材料扩散到所述外延层中的扩散阻挡。