[发明专利]表面安装芯片电容器无效
申请号: | 200680045175.8 | 申请日: | 2006-08-10 |
公开(公告)号: | CN101322203A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | R·卡特拉罗;L·库什纳廖夫;N·科亨;H·戈德伯格 | 申请(专利权)人: | 维莎斯普拉格公司 |
主分类号: | H01G4/00 | 分类号: | H01G4/00;H01G9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 于辉 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 安装 芯片 电容器 | ||
1.一种具有阴极末端和与之相对的阳极末端的表面安装芯片电容器, 该表面安装芯片电容器包括:金属衬底;包括阀金属且部分围绕所述金属 衬底的导电粉末元件,所述金属衬底自所述导电粉末向表面安装芯片电容 器的所述阳极末端延伸;介电层、浸渍阴极和至少部分围绕所述导电粉末 元件的银阴极体;围绕所述银阴极体的涂层;形成在所述衬底的自导电粉 末向外延伸的部分周围的绝缘材料;形成在所述表面安装芯片电容器阳极 末端的金属衬底周围的导电涂层;电连接到所述表面安装芯片电容器阳极 末端的导电涂层的阳极末端端子;以及电连接到所述表面安装芯片电容器 阴极末端的银阴极体的阴极末端端子。
2.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层是通过气 相沉积并聚合而形成的聚合物。
3.如权利要求2所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括聚对 二甲苯。
4.如权利要求2所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括聚对 二甲苯衍生物。
5.如权利要求3所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末的阀 金属是钽。
6.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述粉末通过电泳 沉积在所述金属衬底上。
7.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述金属衬底是钽 箔。
8.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述表面安装芯片 电容器的厚度至少10微米。
9.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末提供 的电容-电压至少为10CV。
10.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末包 括作为金属氧化物的阀金属。
11.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末包 括作为低价金属氧化物的阀金属。
12.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述阀金属是铌, 且所述导电粉末包括Nb、NbO和Nb2O5。
13.一种表面安装芯片电容器,包括:金属衬底;包括阀金属且部分 围绕所述金属衬底的导电粉末元件,所述金属衬底自所述导电粉末向所述 表面安装芯片电容器的阳极末端延伸;至少部分围绕所述导电粉末元件的 阴极;围绕所述阴极的涂层;形成在所述衬底的自导电粉末向外延伸的部 分周围的绝缘材料;形成在所述表面安装芯片电容器阳极末端的金属衬底 周围的导电涂层;电连接到所述导电涂层的阳极末端端子;电连接到所述 阴极的阴极末端端子。
14.如权利要求13所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层是通 过气相沉积并聚合而形成的聚合物。
15.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括 聚对二甲苯。
16.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括 聚对二甲苯衍生物。
17.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末 的阀金属是钽。
18.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述粉末通过 电泳沉积在所述金属衬底上。
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