[发明专利]表面安装芯片电容器无效

专利信息
申请号: 200680045175.8 申请日: 2006-08-10
公开(公告)号: CN101322203A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: R·卡特拉罗;L·库什纳廖夫;N·科亨;H·戈德伯格 申请(专利权)人: 维莎斯普拉格公司
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G9/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 于辉
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 表面 安装 芯片 电容器
【权利要求书】:

1.一种具有阴极末端和与之相对的阳极末端的表面安装芯片电容器, 该表面安装芯片电容器包括:金属衬底;包括阀金属且部分围绕所述金属 衬底的导电粉末元件,所述金属衬底自所述导电粉末向表面安装芯片电容 器的所述阳极末端延伸;介电层、浸渍阴极和至少部分围绕所述导电粉末 元件的银阴极体;围绕所述银阴极体的涂层;形成在所述衬底的自导电粉 末向外延伸的部分周围的绝缘材料;形成在所述表面安装芯片电容器阳极 末端的金属衬底周围的导电涂层;电连接到所述表面安装芯片电容器阳极 末端的导电涂层的阳极末端端子;以及电连接到所述表面安装芯片电容器 阴极末端的银阴极体的阴极末端端子。

2.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层是通过气 相沉积并聚合而形成的聚合物。

3.如权利要求2所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括聚对 二甲苯。

4.如权利要求2所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括聚对 二甲苯衍生物。

5.如权利要求3所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末的阀 金属是钽。

6.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述粉末通过电泳 沉积在所述金属衬底上。

7.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述金属衬底是钽 箔。

8.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述表面安装芯片 电容器的厚度至少10微米。

9.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末提供 的电容-电压至少为10CV。

10.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末包 括作为金属氧化物的阀金属。

11.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末包 括作为低价金属氧化物的阀金属。

12.如权利要求1所述的表面安装芯片电容器,其中所述阀金属是铌, 且所述导电粉末包括Nb、NbO和Nb2O5

13.一种表面安装芯片电容器,包括:金属衬底;包括阀金属且部分 围绕所述金属衬底的导电粉末元件,所述金属衬底自所述导电粉末向所述 表面安装芯片电容器的阳极末端延伸;至少部分围绕所述导电粉末元件的 阴极;围绕所述阴极的涂层;形成在所述衬底的自导电粉末向外延伸的部 分周围的绝缘材料;形成在所述表面安装芯片电容器阳极末端的金属衬底 周围的导电涂层;电连接到所述导电涂层的阳极末端端子;电连接到所述 阴极的阴极末端端子。

14.如权利要求13所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层是通 过气相沉积并聚合而形成的聚合物。

15.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括 聚对二甲苯。

16.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述涂层包括 聚对二甲苯衍生物。

17.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述导电粉末 的阀金属是钽。

18.如权利要求14所述的表面安装芯片电容器,其中所述粉末通过 电泳沉积在所述金属衬底上。

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